2008年4月30日

VESDA LaserPLUS設備基本介紹


設計原理
目錄
1 1
1.1 模組基本簡介 2
1.2 VESDAnet 基本介紹 3
2. 模組選項 5
2.1 感測器安裝 5
2.2 遠端設備安裝 5
2.3 機櫃支架安裝 6
2.4 其他選項 7

1. VESDA LaserPLUS設備基本介紹
VESDA LaserPLUS 系統的組件設計觀念,可以根據不同的安裝地點要求,發完成煙霧偵測器的有效安裝。.
系統中有若干不同組件,可以分別安裝在偵測器或遠端裝置(遠端組件固定盒)或19吋機櫃支架位置。為了多用途的設計要求, LCD 設定模組可以安裝在手提式裝置上,也就是說,可以透過PC設備,完成相關的設定程序。.
相關的模組可以利用RS485 daisy 訊號線路完成網路通訊連結,即成為VESDAnet. 同時可以將若干偵測器、遠端裝置以及支架模組,連接到共同的VESDAnet 網路上。網路之外的相關設備,可以利用VESDAnet 中的高效率介面,進行VESDA LaserPLUS系統的相關連結。.
多變化的模組系統具有下列優點:.
• VESDA LaserPLUS 裝置具有高度的敏感特性,0.005 到20 % obs/m (0.0015 到 6 % obs/ft) ,表示能夠早期預知火災的可能性,並減少生命財產的損失。.
• 由於系統的多用途設計,因此不需要額外購買其他裝置。同時可以將偵測器安置在其他位置。利用相關的VESDA LaserPLUS系統功能,可以將偵測器和LCD程式器裝置及顯示器,安裝在控制室內,以便進行相關的監控。
• 單一形式的LCD程式器,能夠將所有的偵測器狀態,連接到單一形式的VESDAnet系統內。 因此只需要購買一個設定器,便能夠符合所有的偵測器狀態使用,能夠節省相關的設定費用。.
• 手提形式的LCD程式器,同樣適用於各種偵測器的狀態使用,也能夠和LCD 程式器進行連結。.
• VESDA 系統可以利用其他的新式模組,和VESDAnet. 進行連結。
• 高效率的抽氣風扇,能夠同時進行多個管路抽樣動作,因此即使在高流動的氣流狀態下,也能夠精確的測量出煙霧濃度。.
• AutoLearn裝置能夠參照偵測器的安裝狀態,進行最佳的警示狀態選擇。AutoLearn裝置能夠在設定的時間內進行監控動作,同時能夠自動進行系統的設定,完成最佳的警示系統狀態選擇。一旦系統狀態完成設定後,便會產生可靠的警示狀態。.
• 本系統能夠明確的進行煙霧區域確認,同時可以配合偵測Scanner的安裝,將系統的數據變化,完成通訊資料傳送。.
• 相關的煙霧濃度,會以圖表形式,進行連續形式的顯示。圖表的顯示比例,請參照火警等級1的相關說明。






因此 VESDA LaserPLUS系統,能夠搭配VESDAnet 網路資訊, 提供各種煙霧偵測系統的安裝、操作及維修協助。.
1.1 模組基本簡介
VESDA LaserPLUS系統的安裝,可以配合下列的零件:
Mounting options
偵測器 可以進行煙霧濃度的測量,可以單獨使用也可以配合其他模組進行使用,偵測器也可以加裝相關的設定繼電器。.
遠端控制盒 可以配合偵測器之外的其他模組安裝使用。
19 吋機櫃支架 可以配合偵測器之外的其他模組安裝使用。.
Modules
顯示器模組 可以進行煙霧濃度以及故障訊息的目視監控,顯示器內可以加裝可程式繼電器,相關的資料請參照本手冊CD設定裝置” 章節中段落5” 顯示器模組獄〝C.
LCD程式器 可以進行設定程序,並且提供相關的煙霧偵測系統資訊。LCD程式器可以安裝在偵測器、遠端控制盒、及19 吋機櫃支架上,也安裝在手提裝置上。相關的資料請參照本手冊” 系統零組件” 章節中的段落6” 設定裝置H及CD設定裝置” 的說明。.
VESDAnet接頭 可以配合手提設定裝置、及PC設定軟體,進行VESDAnet系統的相關連結。相關的資料請參照本手冊” 系統零組件” 章節中的段落8” VESDAnet接頭” 的說明。.
PC-Link HLIs 可以配合PC設備進行使用,也就是VESDAnet.和PC設備進行連結時所使用的高等級介面(HLI)。相關的資料請參照本手冊” 系統零組件” 章節中的段落8” PC 設定軟體以及PC-Link HLI” 的說明。.
黑片 可以在不同的安裝狀態下,進行終端卡片的覆蓋動作。.
同時可以根據上述的不同組件安裝狀態,選用不同的零組件搭配組合。.

1.2 VESDAnet基本介紹

Figure 1. VESDAnet網路封閉迴路圖例
VESDA LaserPLUS系統的所有裝置,都可以利用VESDAnet進行狀態連結。系統之外的裝置,也可以利用VESDAnet 和VESDA LaserPLUS模組進行通訊連結,相關的封閉迴路,能夠提供雙重形式的接線狀態。.
VESDAnet其中包括封閉迴路中所使用的RS485繞線,同時會連接到個別裝置的端子卡片位置。任何形式的接線故障或設備通訊故障,都能夠以最快的形式完成故障資訊辨識。另外,RS485繞線中的訊號中斷或短路現象,都會產生故障訊號,但是都不會影響系統的正常功能操作,因為相關的系統資訊,會經由網路中的其他路徑,完成訊息傳遞。.
2. 模組選項
2.1 感測器安裝
偵測器的形式有:標準形以及Scanner型。任何1總裝置個別具有3種不同的面板,可以配合不同的組件安裝。.
右方以及中央位置的面板,可以進行下列模組的搭配安裝:
• 黑片模組
• 顯示器模組
• 設定裝置模組
 提示 如果單一偵測器,也可以進行兩種顯示器模組的安裝。但是儘可能避免利用單一偵測器,進行兩種設定模組的連接。例如:2段區域的建築,可以利用 VESDA LaserPLUS偵測器裝置在天花板位置,另外1個偵測器可以安裝在建築物的走廊位置。而走廊位置的偵測器,可以進行2段不同區域的顯示模組連結。.
左方的面板位置,可以提供快速的電纜線終端連接程序,打開面板時,會在面板下方出現連接狀態,同時在面板內部,可以看到相關的標示貼紙,其中會標示偵測器的相關資料。另外,其中包括1個15PIN的D型接頭,可以時所提示設定器或PC設備,和VESDAnet進行連結。
每一個偵測器其中會包括7個繼電器,以便和外部的防火面板裝置進行連結。l
空氣會利用右上方的4個通氣口進入偵測器內,同時可以利用設備下方、後方以及側面的通氣口排出空氣。
 提示 相關的說明,請參照手冊中” 安裝程序 (Part 1)C.

圖 2. 加裝黑片的偵測器,顯示器以及設定裝置組件。


2.2 遠端設備安裝
遙控裝置可以在VESDA LaserPLUS模組位置取得下列的相關訊號:
• 顯示器訊號(有無繼電器)
• 掃描Scanner 顯示器訊號(有無繼電器)
• 設定裝置訊號
• 黑片繼電器訊號
• VESDAnet接頭訊號.

圖 3. 遙控顯示裝置t
2.3 機櫃支架安裝
遙控裝置可以在VESDA LaserPLUS模組位置取得下列的相關訊號:
• 顯示器訊號(有無繼電器)
• 掃描顯示器訊號(有無繼電器)
• LCD程式器訊號
• VESDAnet 接頭訊號
• 黑片繼電器訊號

圖4. 機櫃支架設定裝置以及顯示器模組.

2.4 其他選項
偵測器、Scanner
LaserPLUS偵測器的掃瞄影像來自於4條管路中的取樣資料(和標準型式偵測器類似)。在產生煙霧偵測狀態時(到達掃瞄設定標準時),管路中的閥門結構,便會使不同管路產生同步取樣的動作。同時,Scanner會將第1區段相關的數字(1~4),完成資料回復動作,同時會出現警示聲響。同時會完成第1區段煙霧等級以及警示聲響等級的資料傳送,同時完成相關的監控程序。也可以在掃瞄偵測器位置,加裝特殊的Scanner顯示模組,此種類型的顯示功能,可以出現兩位數字的讀數顯示,以及煙幕偵測位置的狀態顯示。.
手提式LCD 設定裝置
此種類型的LCD程式器,可以提供行動上的便利條件。手提式LCD 設定裝置的優點在於能夠進行VESDAnet 網路的多重設定。同時只須將設備安裝在VESDAnet接頭位置即可。同時,手提式LCD 設定裝置也可以進入煙霧區域,協助相關的測試程序。.
PC-Link HLI
本介面卡其中有各種接頭,可以進行手提接線盒的相關安裝。同時可以利用PC設備中的RS232接頭,或VESDAnet中的接頭,便能夠VESDAnet網路的相關連結。.
智慧型電力供應裝置
當DC電源出現問題時,可以在VESDAnet. 網路中,接上智慧型電力供應裝置。智慧型電力供應裝置,可以進行下列的狀態監控:
• AC 電源的暫時性或永久性狀態顯示。
• 備用電池能量的暫時性或永久性狀態顯示。
• 電池性能功率的狀態表示。
• VESDAnet 網路接線以及通訊故障的狀態顯示。
上述的故障狀態,會利用VESDAnet回傳到相關系統位置。.

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綠色科技島,棄物資源化

,應視F-氟離子為資源
不應視為麻煩的東西,不應以錯誤的方法處理
作者:廖明輝 ( R100595625) 電話:0925979677 , (07)2315075
地址:高雄市自強二路67巷18號,e-mail:r0595625@ms26.hinet.net
關鍵字:氟酸廢水處理,鋁化鈉【NaAl、NaAl(OH)4】,廢棄物資源回收,冰晶石【Na3AlF6】,
綠色科技島,棄物資源化,氟化鈣廢污泥【Ca(OH)2】,不銹鋼廠污泥,矽晶片廠污泥
前言:台灣每年耗用55%HF氫氟酸15000公噸,產生污泥廢棄物10萬公噸以上,若採用新的處理方法,不用增加任何特殊設備,只是酸鹼中和而已,反應很簡單、很迅速,只換新藥劑,不會增加費用,不會增加任何成本,且可以產生高純度的冰晶石cryolite,可以廢棄物資源化,可以回收利用,每年產量約7000公噸。尤其科學園區,因此將不再有腦人的事業廢棄物了,於是我們便可以大聲喊出:我們已經落實綠色科技島的美夢了。產業界的老闆及從業人員,執行公務的官員們,學者專家,記者與環保人員,敬請
給予重視之,珍惜之,利用之。
1、 舊處理方法,以石灰乳Ca(OH)2處理含氟酸廢水,污泥數量很驚人,而且沒
有人要,如何處理,只有天曉得。不銹鋼廠屬之。
2、 較進步的,改以氯化鈣CaCl2處理,或CaCl2與Ca(OH)2配合使用,污泥數量
是減少了一些,處理費用卻也增加了不少。而污泥廢棄物因含大量的Cl-、F-離子,會腐蝕鋼筋,所以不能攙配在水泥中使用。而CaF2污泥,純度不高,價值低,也阻礙了廢污泥再利用的誘因。而排放水之中,含大量Cl-也不太好,COD會很高。
3、新處理方法是以鋁化鈉為主要藥劑,主要反應如下:
3Na+ + Al+++ + 6F- → Na3AlF6
產生高純度的冰晶石,可以用在煉鋁工業、陶瓷工業、玻璃工業、焊條工業,當高溫
熔劑。國內外都有龐大的市場,依純度不同,有不同的用途。
段落摘要:
一、每年10萬公噸廢污泥。 二、使用石灰乳Ca(OH)2的缺點。
三、使用CaCl2問題一樣沒有解決。 四、基本資料比較。
五、新方法的優點。 六、每年生產7000公噸冰晶石。
七、對廢氟酸處理的建議。 八、以不銹鋼廠為例。
九、步驟說明。 十、減廢2/3【初期】。
十一、廢棄物完全資源化。 十二、試驗方法及計劃。
十三、氟酸、藥劑、冰晶石。 十四、實例。
十五、殘餘F-離子估算。 十六、比較表。
一、每年10萬公噸廢污泥
每年55%HF、15000公噸為基準=15000000000g=1500*107
每年F-mole數:1500*107*55/100÷20g(HF分子量)=41.25*107 mole
Ca++ +2F- → CaF2
每年須Ca++mole數:41.25*107 mole÷2=20.625*107 mole
每年須Ca(OH)2的重量20.625*107 mole*(40+34)【Ca(OH)2分子量】=1526.25*107g
每年須90%純度的Ca(OH)2的重量:1526.25*107g÷90%=1696*107g
因為一般都要多加2倍的Ca(OH)2
每年因此要90%純度的Ca(OH)2是3倍的重量1696*107g*3=5088*107g
每年產生廢污泥餅(預估含水率為50%)約10萬公噸
5088*107g*2=10176*107g=101760公噸=約10萬公噸
( Ca(OH)2分子量是74 ,CaCl2分子量是71)
二、使用石灰乳Ca(OH)2的缺點
1、Ca(OH)2水中的溶解度很低,1公升水中的溶解度分別為00C【1.8g】,
100C【1.76g】,200C【1.65g】,300C【1.53g】,500C【1.3g】,1000C【0.77g】……
很多麻煩事,因此而產生。
2、Ca(OH)2水中溶解不易,反應緩慢,滯留時間太長,耗費電力太多,容積太
大,且粉塵作業,不合乎安全衛生。
3、反應效率不佳,過量加藥多2倍,污泥量太多,丟棄不易。
4、會阻塞管線、泵浦,定期要重新配管,拆掉舊管線。
5、產生的產物CaF2(氟化鈣,瑩石),價值不高。高純度的CaF2結晶體,每公斤還不
到6元新台幣。不純的產品,根本沒有商品價值可想而知。因為含有大量的雜質
及Ca(OH)2。
6、CaF2污泥即使當水泥的摻配料也不可以,因為合Cl-、F-離子,均會腐蝕鋼筋,海
砂屋大家很清楚,就是Cl-在作怪,所以只有選擇拋棄掩埋一途。有人計劃拿去製
磚,但情況未明。
7、棄置場地難覓,隨便丟棄又會惹麻煩,導致於CaF2污泥的處理成本頻頻漲價。
8、不當處理,禍害無窮,萬一發生環保事件,將賠掉企業形象,須再花大筆費用再
處理,若再上法庭、被判刑,情況將更糟。
9、略看,使用Ca(OH)2好像很便宜,但實際上卻不是那麼一回事,在環保意識高漲的
今天,總計:全台灣每年要多棄置10萬公噸污泥,就已是個頭痛的問題了。
三、使用CaCl2問題一樣沒解決:
1、 Ca(OH)2 + 2HCl → CaCl2 CaCl2 + 2F- → CaF2 + 2Cl-
2、 HCl鹽酸是強酸,若Ca(OH)2不純,生產的CaCl2也不純,導致於CaF2也會不純。
3、 要中和HF,卻又要引入HCl,所以要大量的鹼液來做中和的動作,相當可惜。
4、 在台灣產業結構而言,HCl已是高價產品了。(相當於鹼液而言,是如此),所以CaCl2價格也不低。
5、 產生的CaF2,是減少了許多,但要資源化,似乎不太可能,因為商品價值低劣,純度不高。
6、 有的工廠,還是CaCl2與Ca(OH)2,配合使用,其污泥問題還是一樣,只是污泥量略
減少而已。、
四、基本資料比較表:
分子式 分子量 水中溶解度 溶解度積ksp
氟化鈣 CaF2 78 0.016g/l,2.1×10-4mole/l 8.42×10-12
冰晶石化 Na3AlF6 210 0.4175g/l,2.0×10-3mole/l 1.29×10-21
解離方程式:CaF2 → Ca++ + 2F- Na3AlF6 → 3Na+ + Al+++ + 6F-
溶解於水中的離子積ksp
【CaF2】ksp =【Ca++】【F-】2=8.42×10-12
【Na3AlF6】ksp=【Na+】3【Al+++】【F-】6=1.29×10-21
五、新方法的優點:
1、 原料鈉離子Na+,鋁離子Al+++,原料來源都很精純,所以產生的Na3AlF6冰晶石,也很精純,外觀純白,可達商品利用價值。3Na+ + Al+++ + 6F- → Na3AlF6 (cryolite)
2、 全世界的冰晶石,全都是合成產物,價值比較高,可以資源化,並有利可圖,回收再利用並非難事。
3、 廢棄物資源化,是企業追求的最高目標,也是企業應有的責任與義務。
4、 不必再為拋棄廢棄物而傷腦筋。
5、 任何濃度的氟酸廢水,均可適用。很方便,只是酸鹼中和而己,反應相當快速。
6、 不銹鋼廠,真正廢棄物的濾餅產量很少,也很精純,沒有雜物,初期可減廢2/3,僅及使用石灰乳Ca(OH)2的1/3而已。
7、 不銹鋼廠,至少可以還原金屬氫氧化物廢棄物,回收不銹鋼,完全資源化,可以達到無污泥污染的境界。或更高經濟價值利用。
8、 而半導體工廠的濾餅,是可以廢棄物資源化,直接全部回收利用的。
9、 冰晶石(cryoolite),可大量用於煉鋁、玻璃、陶瓷、焊條、煉鋼、橡膠…。國內外均有龐大的市場,每公噸鋁錠要用30公斤冰晶石(cryoolite)。
10、廢棄物資源化,將使企業很容易得到ISO-14000,對企業形象,助益相當大。
11、所用藥劑沒有毒性,僅強鹼性、略具腐飪性而已。若萬一外洩或發生意外,處理方法
與鹼液相同。
12、均為液體,可用定量泵添加藥劑,操作方便,可用PH或F-濃度探針為控制因子,可
自動控制加藥。
13、鋁化鈉,或簡稱鋁離子鹼性化合物,乍看之下似乎比較貴,但用量少,又不會產
生腦人的廢棄物,所以總成本而言,還算是比較便宜,而且好用。



六、每年生產7000公噸冰晶石
每年F-mole數:1500*107*55/100÷20g(HF分子量)=41.25*107 mole
在不銹鋼廠,約有一半F-離子產生FeF3,水不溶化合物。
3Na+ + Al+++ + 6F- → Na3AlF6
41.25*107 mole÷2÷6*210(冰晶石分子量)=722*107g=7220公噸
即每年產生7220公噸(乾基)的冰晶石。
七、對廢氟酸處理的建議:
1、 以前廢氟酸處理,均定位在廢棄物的地位,而且用廢物的方法來處理,到最後真的把濾餅當成廢棄物拋棄,相當可惜,以後廢氟酸,應定位在可資源化的東西,要珍惜之,善待之,好好處理之。
2、 應採取廢水分流的方式,含有高濃度HF廢水,就是HF廢水流,其他不含HF的廢水,應另外分流,且以另外方法處理,如此可以提高處理的價值及相關效益。
3、 因為HF的廢酸水,F-離子濃度的排放標準為15ppm,所以未處理的HF廢水,其濃度越高越好,至少其濃度不要太低,因為任何濃度的HF廢水,其處理後的Na3AlF6的ksp是一樣的,因此對高HF濃度的廢水比較有利。而且如果廢水處理廠的機具、人員或處理條件有異常時,處理後的廢水,F-離子殘餘濃度高時,可以利用其他未含F-離子的廢水,來做稀釋及中和反應,以降低殘餘F-離子的排放濃度。
4、 PO4三,Si++++,及其他金屬離子M++,M+++,與鹼性Al+++離子會產生共膠體沉澱物:AlPO4,Si(OH)4,M(OH)2,M(OH)3,所以所有上列廢水,應盡可能採取分流處理,以提高廢HF的經濟價值。
5、 政府正在推動綠色科技島政策,電子公司、半導體公司,應採用Al+++離子方法,以
取代Ca++離子方法【Ca(OH)2,CaCl2】,利己利人,這不只是僅僅省錢及方便操作
而已,還負有減少廢棄物的社會道義責任。
八、以某不銹鋼廠為例:
每個月秏用55%HF約100公噸,HNO3約200公噸、石灰約210公噸,產生污泥(含水30%)約800公噸。
經修改廢水處理流程如下圖:
以鹼液中和廢酸,可減廢2/3。真正的廢棄物只剩1/3。
還可以還原金屬氫氧化物廢棄物,回收不銹鋼,完全資源化,達到無污染的境界。
以NaAl,鋁化鈉處理F-離子,產生純白冰晶石,資源回收。如下圖(一)
廢污泥成份如下表(一):
H2O Ca(OH)2
+CaO CaF2 CaSO4 Fe(OH)3 Cr(OH)3 FeF3 SiO2
32.6% 12.8% 6.4% 23.6% 16% 3.2% 3.8% 1.6%


在同一水槽完成
廢水HF
○1加45%NaOH
加 polymer
○2調整PH


壓濾 ○3濾餅Fe(OH)3、
Cr(OH)3、FeF2


在同一個水槽完成
○4含HF澄清液

○5H2SO4調整PH
以PH控制加酸量
○6加NaAl以PH控制加藥量
調整PH
壓濾 ○7Na3AlF6濾餅

○8加Ca(OH)2,CaCl2
微量,去除殘餘HF

○9排放水或回收使用
九、圖一步驟說明:
1、 經實驗證明,用192噸45%NaOH,便可以取代210噸的石灰了。
2、 PH調整到8.5-9.0,便可以很快的,而且完全的,將Fe+++、Cr+++、Ni+++,全部產生氫氧化合物,沉澱出來。
3、 所產生的濾餅污泥,含Fe(OH)3、Cr(OH)3、Ni(OH)3、FeF3,及含水32.6%,僅剩下273公噸而已,而非800公噸了。
4、 含F-澄清液之中,F-離子數量,由CaF2判讀出來,因為FeF2微溶,溶解出來的量不多。 CaF2:800噸×6.4/100÷78(分子量)×2=1.31282×106 mole F-離子。
5、 以H2SO4,或HCl調整PH到2.0左右。自動控制之。
6、 以自動控制,將NaAl加入系統,調整PH到5.0-7.0便可以產生純白色的冰晶石Na3AlF6。
7、 Na3AlF6由F-離子而來,1.31282×106 mole÷6×210(冰晶石分子量)=46噸乾基。即含水份32.6%的濾餅約62噸。
8、 經NaAl處理之後,萬一廢水含氟量仍超過15ppm的法定標準,可以用CaCl2或Ca(OH)2,或配合使用,如果再過量加藥,也不會產生很多廢污泥了。
十、減廢2/3【初期】
廢污泥成份如下表(一):
H2O Ca(OH)2
+CaO CaF2 CaSO4 Fe(OH)3 Cr(OH)3 FeF3 SiO2
32.6% 12.8% 6.4% 23.6% 16% 3.2% 3.8% 1.6%
由表一數據顯示如下的訊息
1. Ca(OH)2 +CaO:12.8%,表示過量加藥的部份,約真正反應成CaF2的2倍,若不用Ca(OH)2 的化合物,就不會有此項成份在污泥濾餅之中。
2. CaF2:6.4%,若改用NaAl,F-離子就變成為純白的Na3AlF6冰晶石了,可以資源回收了,也就不再存在污泥濾餅之中了。
3. CaSO4:23.6%,如果改用NaAl,SO4二 仍留在廢水之中,不會產生沉澱物了。是隨廢水排放掉的。
4. SiO2:1.6%,是石灰乳的雜物,不用石灰乳,就不會再存了。
以上四項總和共44.4%
在化學拋光的過程之中,所真正產生的固體廢棄物,是Fe(OH)3:16%,
Cr(OH)3:3.2%,FeF3:3.8%,總共23.0%,也就是改用NaAl之後,這三項還是存
在的,但上列1、2、3、4,四個項目共44%,就不再存在了,於是我們知道採用NaOH
及NaAl之後,便可減廢2/3:44.4%÷(44.4%+23.0%)=444/674=65.88%≒2/3,也
就是污泥由800公噸,僅剩下273公噸而已。
十一、廢棄物完全資源化
273公噸,真正生產線產生的固體廢棄物,Fe(OH)3:16%,Cr(OH)3:3.2%,FeF3:3.8%,總共23.0%,也就是改用NaAl之後,固體廢棄物的組成如下,
Fe(OH)3:16%÷23%=69.57% ,Cr(OH)3:3.2%÷23%=13.91% ,
FeF3:3.8%÷23%=16.52%,因固體廢棄物成分很精純,可直接加入煉鋼爐之中還原,約可得100公噸不銹鋼,約乾基濾餅----氫氧化物重量的三分之一。
或開發其他更具價值的用途。
十二、試驗方法及計劃:
1、 取含氟酸廢水,1公斤,5公斤,10公斤,100公斤,1000公斤,逐步放大,,以測試處理效果,若濃度稀薄,廢水暈就多一些。
2、 備製飽和食鹽水:精製食鹽購自雜貨店,1公升的水,可以溶解370g NaCl,可以將600g的食鹽,加入1600CC的礦泉水瓶內,即可得飽和食鹽水。
3、 將三種藥劑,等重量加入600CC礦泉水瓶內,搖勻之後,即可使用,未用完的部份,即丟棄,下次要用時,再重新備製,因為混合後不能長期儲存,三種藥是:
○1鋁化鈉,NaAl。
○245% NaOH,俗稱鹼液或液鹼或燒鹼。
○3飽和食鹽水。(飽和食鹽水,能夠不加,就不加!)
4、 將混合藥劑逐次滴入廢酸液之內,以塑膠管或攪拌棒拌勻,並逐次追蹤PH與F-離子濃度的關係,自PH4.5起,逐次記錄,每0.2PH記錄一次,找出最低的F-離子殘餘的PH值,以做為以後實際操作時之參考。
5、 F-離子廢水濃度,若借此方法很容易達到,低於15ppm,則可以想辦法不用飽和食鹽水,即可以不用再加NaCl,以降低成本,及減少Cl-離子污染排放水。
6、 此方法若未能徹底去除F-離子,使放流水降低到15ppm以下,可以在濾液槽內,加入Ca(OH)2或CaCl2,或配合CaCl2及Ca(OH)2的水溶液,用來捕捉微量的F-離子的殘餘,如此就可以功德圓滿了,若再過量加藥,其總量也不會太多了。
7、 取白色沉澱物,乾燥後,送工研院化工所,做化學分析,確認是否是冰晶石,及其不純物的種類及含量,以了解其商品價值及可能的用途。
8、 持相關的證明文件,及合作廠商【台有化學有限公司】的相關文件及契約書,向地方環保局申請:事業廢棄物(濾餅污泥)再用。、
9、 以臨時大型塑膠桶,暫時儲存新藥劑NaAl,等納入操作後,均無問題時,再全面停用Ca(OH)2或CaCl2系統,再想辦法設置永久桶槽及固定管線與機具。
10、要增加的投資,僅以F-離子及PH為控制因子的定量泵浦而已,所費不多,效果絕佳,
又可資源化,除去了麻煩的事業廢棄物:廢污泥問題。
十三、氟酸、藥劑、冰晶石
以1公噸55%HF為基礎:
1000000g×55/100(濃度)÷20HF(分子量)÷6×210(冰晶石分子量)=963kg
約可產製約1公噸(963kg),精純的冰晶石 cryolite(乾基)
1000000g×55/100(濃度)÷20(HF分子量)÷6÷5.2(S.A每公斤有Al+++ mole數)=882kg
即須處理藥劑:○1S.A.○245%NaOH○3飽和食鹽水(NaCl有時不必加),各882公斤。
※ 在晶圓廠,Si含量高,(S.A)可以酌量減少添加量,因為Si會產生氟矽酸鈉,
消耗掉一部份的F-離子。
※ 2Na+ + Si++++ + 6F- → Na2SiF6
十四、實例:
1000公斤2%HF溶液=1000000g ×2/100÷20(HF分子量)=1000mole HF
1000mole÷6÷5.2(S.A每公斤mole數Al+++)=32.05公斤
即須處理藥劑:○1S.A.○245%NaOH○3飽和食鹽水,各約32.05公斤
飽和食鹽水,沒有必要是不必加的。如果水溶液中鈉離子足夠,液鹼亦不必加。
只要S.A就可以解決廢氟酸的問題了。
十五、F-離子殘餘估算:
冰晶石Na3AlF6的 ksp=【Na+】3【Al+++】【F-】6=1.29×10-21
假設Na+離子殘餘1mole,Al+++離子餘0.1 mole
則kps=【1】3【0.1】【F-】6=1.29×10-21 ∴【F-】6=1.29×10-21=12900×10-24
∴【F-】=4.85×10-4=0.000485 mole/l=0.000485mole/l×20g/mole=0.00097g/l
∴F-=0.00097g/l≒0.001g/l=0.001g/1000g=1g/1000000g=1ppm
理論上,排放水的水質,含F-殘餘可以低於1ppm,而使用實例亦証明,要達到
15PPM以下的排放標準,亦非難事,若因廢水處理後,末能達到15PPM以下,可
以混合其他末含F-的廢水,以降低F-離子濃度,或配合微量的Ca(OH)2、CaCl2
,或Ca(OH)2 及CaCl2,一起使用,即可很輕易的達到目的。
十六、比較表:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
處理方法 產生化合物分子式 產生化合物名稱 純度 雜質 雜質成份 價值 廢棄物資源化 1噸HF廢污泥產量 廢棄物的量 公害 1噸HF廢棄物處理費 水質源利用 粉塵作業 曝氣攪拌 阻塞管路幫浦 添加鹼液 溶解度 與氟離子反應 過量加藥 處理總成本 付出社會成本 社會評價
石灰法Ca(OH)2 CaF2 螢石(氟化鈣) 不純 很多 CaO , Ca(OH)2 沒有用 不可能 3至5噸 很多 很嚴重 1至3萬 很浪費 要 要 會 不要 1倍 1倍 難改善 高 要 低劣
氯化鈣法CaCl2 CaF2 螢石(氟化鈣) 純 多 複雜 每公斤6元 不容易 1.4噸 多 嚴重 0.3至0.5萬 很浪費 不要 不要 不會 要 452 301 略可改善 高 要 低
鋁化鈉法NaAl Na3AlF6 冰晶石 精純 微量 單純 每公斤25元 完全資源化 1.2噸 沒有 沒有 免費 節省 不要 不要 不會 要 452 1408 完全改善 低 創造社會價值 高

主題:半導體製程用水回收率研究計劃

1. 說明:近幾年來由於科技業的發達,台灣成為世界上重要的半導體生產重地,同時也是世界上12吋晶圓廠最密集重地,政府除了在新竹建立科學園區外,後續增加台南、及台中,而這些半導體的設立基本要求不外乎,土地、電力、水及交通,這四項是廠商投資設廠最基本要求,今天我只對水部份做說明,台灣地形地峽人稠,水源主要來源是由水庫收集而台灣天氣雨量集中4~8月渴水期長,再加上近年來溫室效應與聖嬰現象,幾忽是每年都有缺水狀況,如此一來首先農地休耕,接下來自來水減壓供應,分區限水等措施紛紛出竉,人人搶水時耳所聞,而科技產業唯有藉由適當回收設備和水車載水來因應,政府單位更是強制性要求各廠做到製程回收水回收率達到80%,但多年下來始終無法達成,歸咎原因是水源複雜、技術不足、花費成本等都是造成各廠無法配合政府政策,因此出身工程的我藉由多年的經驗以及目前我公司實際運轉狀況來進行研究,進而讓有準備進行回收或進行中的人員有所貢獻。
2. 製程水源分析:以半導體廠製程排放水源包含1.有機廢水2.無機廢水3.一般酸鹼廢水4.CMP化學金屬研磨廢水5.DHF低濃度氟酸廢水6MHF中濃度氟酸廢水等六大項,以下我將一一分析各項水源特性及回收難易度做說明。 1.首先是介紹無機廢水,這股水源本身TOC值低約1PPM以下、導電度400us/cm以下、PH4~6、雙氧水5PPM以下是所有水源中最好處理,而這股水源約佔總用水量30%。 2.有機廢水顧名思義本身含有高農度有機溶劑及IPA(異丙醇)其TOC濃度3~10PPM、導電度600us/cm以下、PH3~6、雙氧水10PPM以下其主要還是將TOC降低即可回收,水量約佔整體30%。 3.CMP因為是研磨清洗費液其主要成分包還二氧化矽及分散劑和矽粉顆粒,水質如下SS200~600mg/l、Ph6~8、導電度300 us/cm以下、二氧化矽80ppm以上,處理起來較為困難,水量約佔10%。 4.DHF 水質為TOC濃度1~2PPM、導電度1000us/cm以下、PH1~5、氟離子濃度100PPM以下、雙氧水20PPM以下濁度5NTU以下,這股水也相當難處理約佔水量15%。 5.MHF水質為TOC濃度1~2PPM、導電度1000~5000us/cm、PH1~3、氟離子濃度100PPM以上、雙氧水20PPM以上濁度5NTU以下,這股水目前無法回收處理約佔水量5%。 6.最後是一般酸鹼廢水這股水源是前幾項水源前置清洗動作所排放下來因此水質極差,水質為TOC濃度10~20PPM、導電度1000~2000us/cm、PH2~10、雙氧水20PPM以上,這股水目前亦無法回收處理,約佔總水量20%。
3. 回收設備處理方法: 1.無機廢水主要只要經過活性碳過濾桶稍微處理,雙氧水可完全去除,另外活性碳也可去除部份TOC根據經驗可去除20%左右,回收率扣除逆洗水量,回收率約97%,活性碳出口部份需注意加裝TOC分析儀,回收之水量可全數回收至自來水儲桶再利用。
2. 有機廢水主要只要經過活性碳過濾桶稍微處理,雙氧水可完全去除,另外活性碳也可去除部份TOC再經過UV殺菌處理及5um過濾濾芯,最後是由RO逆透薄膜處理,過程中因有機廢水容易長菌故加裝UV,除此之外尚需2個月定期清洗桶槽,最後RO是主要去除機制,其TOC去除效率約70%,RO亦需每月藥洗一次,總回收率扣除活性碳逆洗及藥洗水量,回收率約97%,回收之水量85%至自來水儲桶再利用,另10%為RO濃縮水其TOC值高可回收至RCW次級設備用水使用。
3.CMP廢水主要藉由UF超過濾系統去除SS,並將SDI降至1以下,其過濾
孔徑約0.1~0.01um,接下來RO去除二氧化矽及分散劑,此時為避免RO結垢需將PH調整至10避免二氧化矽產生結垢,過程中RO主要去除矽離子濃度60PPM可降至0.5PPM, UF反洗水量約5%排放,RO產水75%將回收至自來水儲桶再利用,另25%RO濃縮水供給RCW使用。
4.DHF廢水主要藉由活性碳過濾桶稍微處理,雙氧水可完全去除,另外在經過陰陽離子塔(離子交換樹脂)處理,陰陽離子塔再過程中主要去除氟離子濃度100PPM可降至0.1PPM,導電度1000us/cm可降至10us/cm以下,活性碳反洗水量約佔3%,陰陽離子塔再生廢水佔5%,整體DHF回收水量92%,可回收 至自來水儲桶再利用或RCW使用。
4. 回收水量計算:
1.無機回收水30%*97%=29.1%
2.有機回收水30%*97%=29.1%
3.CMP回收水10%*95%=9.5%
4.DHF回收水15%*92%=13.8%
5.製程總回收率81.5%
根據以上算法是理想值計算,大部分無塵室機台常未按程序進行分流排水,造成回收水量不足,另外不正常系統設計與操作都無法達成回收率80%以上。
5. 研究方法:藉由各廠家提供意見與流程,進行評比與成本分析和回收效益、再透過國內外廠商提供新技術與設備,提升人為誤操作造成之水量損失。
5.1儀篩篩選研究:各種水源不同作分流及藉由儀器篩選,例如有機及無機廢水都須有線上TOC分析儀作篩選控制,這一點大部份公司為節省成本常常忽略此重要性,造成系統處理效能降低,或產水水質不良情形,因此不同廢水選擇適當儀器,具有極重要研究指標。
5.2處理設備研究:目前市面上處理設備部外乎RO、UF、UV、臭氧等高級處理,但廠牌眾多,材質極特性均不同,價格差異性也差很大,透過各種設備處理效果比較,如何選擇適用處理設備,是回收系統成敗關鍵。

5.3回收成本研究:計算各回收系統每立方米水量成本,是否符合經濟效益,包含樹脂再生藥劑、清洗藥劑、耗材更換、電力耗費以及成本回收,都是各廠關心的重點,畢竟賺錢工作才有人做。
6.結論:目前許多中小型電子廠也是因為資金及技術問題所以遲遲未做回收系統,若能深入了解及研究後,必然有信心作回收系統,畢竟外面有太多失敗例子,而藉由這份研究讓大家了解水回收必要性,不再遙不可及,有水當思無水之苦,哪天真的全台大限水,再懊悔就來不及了。




放流水取樣之標準操作程序


一‧操作時機:
每日固定取樣或科管局取水時。
二‧注意事項
1. 確認取樣瓶是否清潔。
2. 確認取樣之水桶是否清潔。
三‧準備工具
1. 取樣瓶2瓶。
四‧取樣程序
1. 取樣時應先確認取樣瓶及取樣之水桶是否清潔。
2. 取樣水桶應小心放入水池至中盛水,避免因力量過大而碰觸到底板引起底泥上浮。
3. 取樣之水桶上提時應注意是否碰觸到爬梯避免有異物掉入池中或桶中。
4. 如取樣之水有明顯異物(如樹枝、垃圾…等)應將其剔除或重新取樣。
5. 取樣瓶盛水時應取上層液避免取到底泥。
6. 每次固定取2瓶,一瓶使用於分析另一瓶則留存。
7. 留存之樣品應放置於冰箱。

放流水取樣及懸浮固體檢測之標準操作程序


一‧操作時機:
每日固定取樣或科管局取水時。
二‧注意事項
1. 確認取樣瓶是否清潔。
2. 確認取樣之水桶是否清潔。
三‧準備工具
1. 取樣瓶2瓶。
2. 抽氣裝置。
3. 過濾設備。
4. 1μm濾紙。
四‧取樣程序
1. 取樣時應先確認取樣瓶及取樣之水桶是否清潔。
2. 取樣水桶應小心放入水池至中盛水,避免因力量過大而碰觸到底板引起底泥上浮。
3. 取樣之水桶上提時應注意是否碰觸到爬梯避免有異物掉入池中或桶中。
4. 如取樣之水有明顯異物(如樹枝、垃圾…等)應將其剔除或重新取樣。
5. 取樣瓶盛水時應取上層液避免取到底泥。
6. 每次固定取2瓶,一瓶使用於分析另一瓶則留存。
7. 留存之樣品應放置於冰箱。
五‧懸浮固體檢測程序
1. 將1μm濾紙舖於過濾裝置上,打開抽氣裝置,連續各以 20 mL 試劑水沖洗 3
次,繼續抽氣至除去所有之水分。
2. 將濾紙取下置於圓盤上,移入烘箱中以 103 ~ 105 ℃ 烘乾 1 小時,再將之取出移入乾燥器中冷卻,待其恆重後加以稱重。重複上述烘乾、冷卻、乾燥、稱重之步驟,直至前後兩次之重量差在 0.5 mg 範圍內。將含濾紙之圓盤保存於乾燥器內備用。
3. 將已稱重之濾紙裝於過濾裝置上,以少量的試劑水將濾片定位。
4. 將樣品均勻攪拌後取適當之水量使其通過過濾裝置並待洗液流盡後繼續抽氣約 3 分鐘。
5. 將濾片取下移入圓盤中,放入烘箱以 103 ~ 105 ℃ 烘乾至少 1 小時後,將之移入乾燥器中冷卻後稱重。
6. 懸浮固體計算方法如下:
懸浮固體(ppm)=(T2-T1)*1000/V
T2=懸浮固體及濾片重(g) T1=濾片重(g) V:樣品體積(L)

FBC排晶程序



1. 準備太空包,固定於原配置之排晶架上。
2. 將排晶軟管連接於FBC Tank排晶口之快速接頭,另ㄧ端固定於太空包內。
3. 將加藥管及進水管之閥關閉。
4. 開啟排晶口之球閥,利用虹吸方式開始排晶。
5. 注意太空包之矽砂收集情況,收集至八分滿即換裝其他太空包。
6. 當排晶至無法排晶時將側人孔蓋打開檢視,並將自來水沖洗管移至桶槽內部補水使殘留之矽砂能順利排出。
7. 排晶停止後停止自來水補水並將排晶軟管自FBC Tank排晶口拆下,並接於排晶氣動幫浦出口。
8. 將另ㄧ條排晶軟管接於氣動泵之吸入端。
9. 開啟氣動幫浦以人工方式(拉軟管)進入FBC Tank內將槽內殘留之矽砂排除。
10. 再次開啟自來水管清洗桶槽內部將附著於槽內之結晶體清洗乾淨。
11. 開啟FBC進水幫浦檢視槽內管排是否通水正常。
12. 通水測試完成後,利用天車將太空包吊出後,利用堆高機將廢棄矽砂搬運至具環保廢棄牌照之清潔車,並清運之。
13. 清運完畢後先補充自來水至循環水出口高度後,開始進行補砂。
14. 補充新矽砂則利用堆高機將矽砂搬運至貨梯入口,再利用版車推送至二樓原規劃之矽砂補充口,將補充之漏斗固定並開始補砂。
15. 補砂完畢後,將現場清潔完畢開啟進水幫浦及加藥幫浦,確定液位超過循環水出口高度後,開啟循環幫浦運轉,系統正常後回覆成自動控制程序。

化學機械研磨後清洗技術簡介




第六卷第一期
蔡明蒔
國家奈米元件實驗室
前言
自1997年開始,半導體製程邁進0.5微米元件線幅以下,幾乎所有半導體製造廠開始採用化學機械研磨技術(Chemical Mechanical Polishing, CMP)。此乃由於愈來愈嚴苛的曝光景深要求,對於曝光區內晶圓表面之起伏輪廓必須借助研磨方式才能獲得全域性平坦化(Global planarity)。故在多層導線結構製程之IMD介電層平坦化及鎢金屬栓塞(W plugs)之製作,以CMP取代傳統以乾式蝕刻回蝕法,不但可確保晶圓表面之平整度且製程簡化,大幅提昇製程良率。除了應用在後段導線之製作,CMP亦應用於前段元件隔離之oxide回蝕製程,即淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation, STI),大幅增加晶圓上元件之可用面積。當元件線幅小於0.18微米,傳統鋁銅合金導線之RC延遲將大過於元件開關速度,此時較低電阻之銅導線則勢必被採用。由於銅之電漿乾蝕不易,應用Cu-CMP金屬嵌入式導線之大馬士革製程(Metal Inlaid Damascene Process)則為形成導線製作之主要方式。
CMP製程雖為先進半導體製程之關鍵技術,但在無塵室中卻屬高污染性之製程(dirty process)。由於製程中必須引入研磨泥漿(slurry)於晶圓表面進行研磨,泥漿中包含約5-10%,30-100奈米之微細研磨粉體(abrasive),種類包括SiO2、Al2O3、CeO2、ZrO2等。此外還必須加入化學助劑,有pH緩衝劑如KOH、NH4OH、HNO3或有機酸等;氧化劑如雙氧水、硝酸鐵、碘酸鉀等;亦必須加入界面活性劑(Surfactants)幫助粉體在水溶液中之懸浮穩定性。故晶圓經過研磨之後,晶圓表面勢必殘留大量之研磨粉體(>10k/wafers)、金屬離子(>1012 atoms/cm2)及其他不純物之污染。若無有效之清洗製程去除此外來之污染物及因研磨產生之表面損傷,則將影響後續薄膜沈積、微影等製程良率,故過研磨後CMP清洗製程為成功應用CMP於半導體製程之關鍵技術。
清洗機制、原理及方法
1. 微塵吸附原理及清洗方法
在設計一清洗系統可以去除吸附在晶圓上微塵之前,必須先檢視有那些作用力促使塵粒吸附於晶圓表面上。主要之作用力包含有分子吸附力(molecular adhesion)、靜電作用力(electrostatic interactions)、液體介質橋接(liquid bridges)、電雙層排斥力及化學共價鍵結(chemical bonding)等。分子吸附力即所謂凡得瓦爾力(Van der Waals dispersion force),屬於分子間之瞬間誘發偶極作用力(induced-dipole/induced-dipole interaction),此作用力與分子內電子雲之極化性(polarizability)相關,通常分子量愈大之分子其外層電子雲之擴散度較高,代表其可被極化程度愈高,則其凡得瓦爾作用力愈強。此作用力與重力之性質頗為類似,一是只存在有引力而無斥力,二是與物體之質量成正比而與其相距距離平方成反比。此意謂當兩分子距離較遠時,凡得瓦爾力小至可忽略其存在。但在相距甚短之距離時(在數奈米之微距時),此引力將會以級數增加而變為主要之分子間作用力,甚至大過於靜電庫倫力。故研磨後,若不考慮其他作用力,粉體是傾向於吸附於晶圓表面的。避免粉體與晶圓表面之直接接觸,增加其間距離可有效降低凡得瓦爾力(平方反比關係),故濕式清洗以水分子作為其間介質,對於微塵去除會比乾式清洗方式有效。但濕法清洗必須注意洗淨後之乾燥方式(drying),若晶圓表面之表面張力太大(即水分子水分子間引力大於水分子與晶圓表面之吸附力時),容易造成粉體與晶圓表面之溶液橋接現象,如圖一所示,形成所謂水痕(Water mark)。

粉體與晶圓表面間之靜電作用力。一般而言,懸浮或浸潤於水溶液中之粉體或固體表面氫氧基易與水分子進行質子交換,故視周遭水溶液之質子濃度(即pH值),其表面可被質子化(protonation)而帶正電荷,或去質子化(deprotonation)而帶負電荷,如圖二所示。此時,水溶液中相同電量但異性電荷之離子(counter ions)因其表面電場吸引靠近以平衡其電荷,形成所謂之電雙層(Electric double layer),如圖三所示。其包含離子緊密吸附之內層(Stern layer)及外層擴散層(Diffusion layer)。當此粉體移動時,Stern layer是緊隨粉體運動,而Diffusion外層是隨溶液移動,此內外層接面邊界即稱為剪面(Shear plane),剪面電位稱為Zeta電位,其可藉由電泳法(Electrophoresis)測得。


以去除吸附表面粉體之觀點,我們希望粉體與晶圓表面於水溶液中存在相斥之靜電作用力,亦即保持相同電性之Zeta電位勢且其值愈大愈好。以上述懸浮粉體表面之電雙層模型得知,Zeta電位勢與水溶液之pH值(影響其帶電極性)及溶液中異性電荷離子濃度(影響外層diffusion layer範圍大小)相關。此電雙層靜電斥力與凡得瓦爾力加成後,如圖四所示。此即為DLVO塵粒吸附理論。在塵粒與固體表面距離甚近時,凡得瓦爾吸引力促使塵粒吸附(負作用能),在相距一段距離後,靜電斥力才開始發揮作用,如圖四中曲線a所示。此粉體與吸附表面之靜電斥力作用距離取決於電雙層外層之範圍大小,若溶液中之離子強度太高,則表面Zeta電位勢很快即被異性離子所平衡,電雙層作用範圍縮減,促成凡得爾作用力主導塵粒吸附,即圖四中曲線b-e所示。總而言之,清洗之水溶液除了要使粉體及晶圓表面存在有效之電雙層靜電斥力外,並要儘可能降低水溶液之離子強度,擴大電雙層作用範圍以抗拒近距離時強大凡得瓦爾吸附力。

由圖五所示,在鹼性水溶液中(pH>7)時,大部份之陶瓷粉體或固體表面皆荷負Zeta電位勢,包括SiO2, WOx等。但Al2O3粉體須在水溶液pH值大於9以上時,Zeta電位勢才會由正轉負。故不論是應用於IMD平坦化製程,或是鎢金屬栓Damascene製程,在CMP研磨後之晶圓大部份表面為SiO2膜,而殘留研磨粉體為SiO2或Al2O3。只要在pH>10之鹼水溶液中,就可保持兩者同為負電位勢,則有利於粉體脫附。故目前皆以0.5-4.0 %NH4OH水溶液為主要粉體去除清洗液。如圖六所示,在氨水中清洗可以降低晶圓上之塵粒總數(粒徑大於0.2微米)少於100顆,而在純去離子水中清洗,則粉體因靜電引力吸附累積,總數增至5,000顆以上。另外值得一提的是,含KOH之鹼性SiO2粉體研漿之粉體去除會比只含NH4OH之SiO2研漿更為困難。原因是KOH為強解離鹼,而NH4OH則為弱解離鹼,意謂KOH研漿環境之離子強度將遠大於NH4OH泥漿。如上所提強離子強度水溶液將致使粉體電雙層斥力作用範圍縮減,促使粉體以凡得瓦爾力吸附於晶圓表面。故選用只含NH4OH泥漿,除了可以避免鉀離子污染外,亦有利於後續微塵清洗。



即使使用氨水清洗液亦包含有NH4+陽離子,其會減少粉體或晶圓表面之Zata電位勢。NEC公司於1994年提出以電解離子水(Electrolysis-Ionized-Water)的清洗技術,能比氨水更有效去除塵粒。其裝置如圖七所示,導入鉑電極於純水中進行電解反應,於陰極進行水之還原反應產生OH-離子,收集此陰極水溶液(Cathode water)進行清洗,如圖八所示顯示此陰極電解水比一般鹼性水溶液的去除塵粒能力好。

 
2. 金屬離子污染及其清洗方法
一般研磨後晶圓上會殘留泥漿中所含之鹼金屬離子(mobile ions),如鉀及鈉離子,和過渡金屬離子如鎳、鐵、銅、鋅等。此些金屬離子除了吸附在晶圓表面外,亦可能因研磨之應力及表面損傷,擴散至SiO2層內。如前所述,以鹼性氨水溶液清洗去除塵粒污染時,卻會造成鹼土金屬(如鈣、鎂)及後半過渡金屬(如鐵、鎳、鉻、鋅)等形成氫氧化物沈積如圖九所示,而此些氫氧化物大都包含於晶圓表面之SiO2層內。故在接續氨水清洗後,通常伴隨著稀釋氫氟酸水溶液清洗,藉由輕微蝕刻掉SiO2表層,可以有效去除此些金屬離子污染。但在酸性含氟離子之水溶液環境易造成金屬腐蝕,尤其是對鋁合金及銅金屬,故必須嚴格控制氫氟酸濃度(<1:100)及清洗時間(<15秒),以防止金屬導線之腐蝕。另外氫氟酸之蝕刻作用亦可消除因研磨造成之表面損傷。

為了避免金屬腐蝕疑慮,對於去除金屬離子可以選用錯合劑(complexing reagent),如檸檬酸(citric acid),可以鉗合金屬離子形成穩定水溶性錯合物,抑制其生成氫氧化物沈積。如表一所示,經由檸檬酸清洗後鈣、鐵、銅、鋅等金屬離子之殘留量大幅減低。但對於原本即水溶性鹼金屬離子,如鉀離子,則增進之效果有限。
至於鋁合金及銅之post-CMP清洗溶液,由於此兩金屬都極易在酸性及鹼性水溶液中腐蝕,故必須禁止氨水及氫氟酸的使用。尤其是氨水,其極易與鋁及銅反應生成穩定之水溶性錯合物如圖十所示。故最佳之清洗液pH值最好選定在中性,此時鋁及銅金屬表面可以生成穩定之金屬氧化物鈍化層。但此中性水溶液環境不利於去除吸附塵粒,目前有二種方式去克服此問題,一是改變研磨粉體之種類,由原本常用之Al2O3粉體更換為SiO2粉體。原因是在中性水溶液中Al2O3粉體表面帶正Zeta電位勢,而SiO2粉體為負,晶圓表面大部份為帶負電之SiO2介電層。故SiO2研漿會比Al2O3研漿更易清洗,但SiO2粉體在酸性水溶液之懸浮穩定性差,必須加入界面活性劑抑制其膠化或凝塊。另一方式為在微酸性水溶液中(pH=5-7)加入離子型界面活性劑,此界面活性劑會吸附在Al2O3粉體表面而改變其表面電位為負,而保持有效之粉體與晶圓表面靜電斥力。


清洗策略
1. 使用濕式晶圓傳送系統
研磨後殘留在晶圓表面上之研漿必須避免因乾燥而硬化,否則接續之任何清洗方式都無法將之去除。由於研磨粉體表面及研磨後之晶圓表面富含活性之氫氧基,當其脫水後易生成氧橋基鍵結(oxygen bridging bonding),為甚強之化學共價鍵,除了再次研磨去除,任何物理洗淨方式都是無效的。故研磨後之晶圓在清洗途中必須全程浸潤於去離子水中,且所有與晶圓接觸之刷子及機械手臂亦必須保持濕潤。
2. 善用Buffing清洗
在CMP研磨機中通常會整合有第二個研磨平台,作為研磨後之晶圓清洗用,稱為buffing。Buffing可以有效去除大量表面吸附及機械性嵌入之粉體,減少研漿在晶圓表面殘留之時間。避免因研磨後水溶液pH值之改變,造成粉體膠化(gellation),影響後續清洗之效率。
3. 選用適當之清洗化學品及界面活性劑
由於去離子水並無法有效去除吸附表面之粉體,鹼性氨水溶液可確保粉體與晶圓表面保持有效之電負相斥力,可應用於各階段的清洗製程中,包括刷洗、超音波震盪等。而配含各類型之界面活性劑,包含離子或非離子型,皆可使用,藉以有效潤濕晶圓表面,降低其表面張力有助於粉體之去除。謹慎使用稀釋之氫氟酸水溶液(>1:100),可些微蝕刻掉晶圓表層之氧化層,不但可以去除吸附或嵌入之研磨粉體,亦可降低表面之金屬離子污染。
4. 配合物理作用力清洗
目前廣被使用之機械性清洗方式有二,一是以PVA刷洗(Scrubbing)晶圓表面,另一是非接觸式之超音波震盪(Megasonic)清洗。聚乙烯醇(polyvinyl alcohol, PVA)聚合物富含氫氧基且85-90%體積為孔洞,柔軟、吸水性強、可抵抗一般無機酸鹼之腐蝕、孔洞可以捕捉塵粒,非常適用於晶圓清洗其一般物理特以如表二所列。由於PVA之親水性,與晶圓接觸時實際上間隔了一層水膜,故不必擔心因刷洗造成晶圓表面之損傷。最重要的是,PVA在水溶液中亦帶有表面電荷,在鹼性水溶液中為負的Zeta電位勢,如圖五所示。故在清洗之後,可用氨水洗淨去除殘留在刷子上之粉體,不致造成下次清洗時之污染。
超音波震盪是另一去除微小塵粒有效方式,屬於非接觸式清洗,可以排除刷洗刮痕晶圓表面之疑慮,如圖十一所示。由於微小塵粒之體積小,不易提供其脫附所需之動能,而音波震動可以幫助清洗液進入塵粒與晶圓之接觸界面,藉由水溶液介質及靜電斥力之協助幫助塵粒脫附。

結語
post-CMP cleaning是成功應用CMP於半導體製程之關鍵。針對不同之研磨漿料組成及研磨材質,如二氧化矽、鎢、鋁銅合金、銅等,其清洗之方式會有所不同,選擇合適之清洗化學溶液及設備才能達到預期之效果。本文簡單論述研磨後之主要污染物,如殘留研磨粉體及金屬離子,之吸附機制及其去除方法,希望能從其基礎原理之瞭解發展更有效率之清洗技術。
參考文獻
1. S. R. Roy, I. Ali, G. Shinn, N. Furusawa, R. Shah, S. Peterman, K. Witt, and S. Eastman, J. Electrochem. Soc. 1995, Vol. 142, pp. 216.
2. J. M. de Larios, M. Ravkin, D. L. Hetherington, J. J. Doyle, Semiconductor International, May, 1996, pp. 121.
3. T. L. Myers, M. A. Fury, and W. C. Krusell, Solid State Technology, Oct. 1995, pp. 59.
4. W. C. Krusell, J. M. de Larios, J. Zhang, Solid State Technology, Jun., 1995, pp. 109.
5. D. Hymes, I. Malik, J. Zhang, R. Emami, Solid State Technology, Jul., 1997, pp. 209.
6. R. R. Thomas, F. B. Kaufman, J. T. Kirleis, and R. A. Belsky, J. Electrochemical Soc., 1996, Vol.143, pp. 643.
7. H. Aoki, T. Nakajima, K. Kikuta, and Y. Hayashi, Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, 1994, pp. 79.
8. 黃舋, 電子月刊, 1998, 四月號, 頁140。




探討化學機械研磨的用水



2001/9/24
Gary Corlett, Lucid Treatment Systems, Hollister, California

不斷出現的用水需求與廢水的產生,對於目前與預期成長規模下的半導體產業,產生了極其冷酷的效應,傳統的廢水處理方式由於其昂貴的成本,已經無法符合日漸昇高的需求,對此問題,我們針對化學機械研磨平坦化製程,提出在使用點即時的用水再生技術。因為可以節省62%到86%的用水量,所以這項技術的初期成本花費,可以在短短的幾個月內回收。除此之外,為了有效的降低化學機械研磨製程的排放水量,再生技術同時針對排放水的兩項成份:水與研磨液,做個別處理。

半導體產業對於水的使用與其後續廢水處理的需求似乎是永無休止的。與西元1999年消耗一千零八十億加侖水的情況相較,半導體產業在西元2000年預估將需消耗一千三百八十億加侖水[1]。
在以上龐大數字的背後是化學機械的平坦化(Chemical Mechanical Planarization;CMP)不斷昇高的用水量。在西元1997年,化學機械研磨所產生的廢水量為三億二千五百萬加侖,到了西元1999年,其廢水量已激增為五十億加侖,預計今年化學機械研磨的用水量將占半導體產業用水量的40%。雖然用水量與線寬的關係不是很清楚,但是當線寬在西元2005年降低至低於100奈米時,用水量預計將會激增。
化學機械研磨用水量需求,對於水資源的影響是雙重的:除了供水量增加之外,廢水處理亦會造成各地廢水處理設備的負擔。從Intel公司位於美國新墨西州Albuquerque市的最大晶圓廠到Motorola公司位於中國天津的最新的晶圓廠,水資源與廢水處理問題,均限制了半導體產業的未來發展與晶圓廠的擴充。
由於在過去兩年內水資源的問題並沒有有效的進展,在西元1999年國際半導體科技藍圖(International Technology Roadmap for Semiconductors;ITRS)訂定在西元2005年前淨進水量(Net Feed Water)需由13gal/in2縮減至5gal/in2,西元2008年暨長期的目標則為2gal/in2,超純水(Ultrapure Water;UPW)用量亦需成比例的降低,詳見表一說明。由於300釐米晶圓的轉型,使得上述目標的達成更加的複雜,因此ITRS指出半導體產業必需加強用水管理,方能達成上述目標。
#F#表一:半導體產業面臨的用水挑戰

#P#化學機械研磨設備的廢水流
化學機械研磨製程是一種使用研磨液(Slurry)為化學成份的極精密且重覆性的製程,在每道研磨製程再生間,有耗時更長的研磨墊處理(Pad Conditioning),晶圓緩步(Wafer Buffing),清洗(Rinse), 晶圓運送(Wafer Handling),待轉(Idle)等製程,而這些製程均需消耗一定量的超純水,而產出獨特之大量廢液流,其具有濃度間歇性集中(Concentrated)但整體稀釋(Dilute)的特性。以一天二十四小時平均使用超純水速率為5.1gal/min的情形為例,則十台化學機械研磨設備每天將耗費大約86,400加侖的超純水,同時製造了約同等數量的廢水,以此估算,一年將消耗31.5百萬加侖的超純水量,而需要52.57百萬加侖的進水量。
雖然耗水量是如此的驚人,由於有研磨製程間不含研磨液製程的大量超純水稀釋,其實70%的化學機械研磨製程的排放水是“乾淨”的。這裡所謂“乾淨”的定義是以美國飲用水平均0.75NTU (Nephelometric Turbidity Units)含量為標準,以此相較,去離子水(DI Water)則為0.5NTU。在實際的化學機械研磨製程,其研磨液的固體含量可能高達30%,但是由於研磨製程間大量超純水的稀釋,整體排出廢水的平均固體含量約為0.02%。
圖一係某一化學機械研磨設備排出廢水的固體含量變化趨勢圖。當晶圓研磨製程開始時,由於新的研磨液注入,平盤(Platen)上研磨液的固體含量為12-30/wt%,排出廢水的NTU值隨及因為這些研磨液的排出而提高。當晶圓研磨製程結束時,研磨液停止注入,由於相繼的製程僅使用超純水,排出廢水的NTU值迅速下降為0.75NTU,審視此變化趨勢圖可以發現70%的製程時間,其排出廢水的NTU值均低於0.75NTU。
#F#圖一:典型的化學機械研磨製程排放水之濁度變化趨勢圖,顯示出絕大多數的排放水都是清潔的。

濁度值(Turbidity)可用以衡量造成水呈朦朧狀(Cloudy)的水中懸浮物的含量,而化學機械研磨製程的排出廢水之懸浮物大多為研磨液所含的研磨劑,如矽土(Silica)或者氧化鋁(Alumina),使用諸如Nephelometer的儀器,可以很容易的評估排放廢水是否可以再生使用。追蹤一段2.42分鐘的典型化學機械研磨製程,發現70%的排放廢水是清潔的,其NTU值小於0.075,亦即70%的化學機械研磨製程的排放廢水,不應該排放到廢水處理系統,這些廢水其實比超純水系統的進水-自來水(City Water)還要乾淨,所以非常適合用在一些非製程(Nonprocess)的場合,如清洗設備(Equipment Rinsers),洗刷廢氣(Fume Scrubbers),冷卻水塔(Cooling Towers)使用,甚至於純水系統的進水。在使用點即時的將此部份的水引出至廠務使用,不但可以降低化學機械研磨製程的用水量與排放廢水量,還可以幫助達成ITRS的目標。
長時間監看化學機械研磨製程的排出廢水的固體含量可以發現,其變化量比上述結果更加明顯。從設備製造商的觀點來看,化學機械研磨設備至少必需要有70%的可用時間(Uptime),但是在實際現場運作時,由於預防保養,研磨墊整理(Buff Pad Conditioning),測試(Test Wafer Runs)與其他因素的影響,化學機械研磨設備的可用時間可能下降至50%。
追蹤某一晶圓廠操作員在546分鐘一班內使用化學機械研磨設備的情形發現,前七個小時,操作員僅測試了兩塊晶圓,其後的兩個多小時則作業了25塊晶圓。亦即在546分鐘內,該設備僅作業了81分鐘,其餘465分鐘,設備所排放的廢水都是乾淨的,在這一班內85%的排放廢水都不需要經過廢水處理的,但是在下一班內就可能產生完全不同的結果。以上觀察的重點就是,由於廠內不同的化學機械研磨設備,在某一時段可能會處於不同的製程或者維修狀態,所以其排放廢水的固體含量是很難事先預測的。
雖然化學機械研磨設備所排放的大量廢水,其平均固體含量是很低的,但是這些固體懸浮物是很難處理的。研磨液所含的固體,很容易阻塞公共污水系統(Municipal Waste Systems),在很多晶圓廠的污水處理系統內氧化物(Oxide)與含有金屬的研磨液混合而形成塊狀的黏稠固體,往往阻塞排放管線而需不時的留意。越來越多的當地法規,限制不可以將含有固體懸浮物的廢水排放到公共污水系統,鎢(Tungsten),銅(Copper),與一些微量金屬(Trace Metal)的排放已經被明令限制。

#P#使用點即時廢水回收(Point-of-Use Water Reclamation)
我們認為ITRS對於用水的要求,扭曲了半導體業界所面臨的用水與廢水處理問題,因為目前對於化學機械研磨製程用水再生的努力。大多數集中在製程末端排放水的過濾上,亦即將焦點放在製程的整體排放廢水上。經由以上的資料分析我們可以清楚的了解這樣的作法既耗費龐大又非常沒有效率,顯然無法跟得上呈高度成長的化學機械研磨設備使用量。以下介紹一種更有效率的作法,這項作法使用一套監視系統,來監看各個化學機械研磨設備所排放廢水的固體含量,以決定是否可以即時回收排放水或者必需將其送至廢水處理系統處理,請參考圖二說明。
如圖二所示,這套獨立的監控系統,聯接到各別化學機械研磨設備的排放廢水線上,該監控系統裝置的感測器,可以即時的監控測量排放管線所含的濁度值,根據濁度值來決定將水排放到廢水處理系統或者直接供廠內再生使用。為了確定無誤,當排放水要進入廠內再生用水管線前,另有一具感測器偵測其濁度值是否已降至標準以下。當研磨液進入廢水管線時,感測器即時偵測到濁度值的變化,並將污染的廢水排放到廢水處理系統處理。上述修正後的用水處理方式,可以降低化學機械研磨製程的用水量與相關產出廢水達75%。
#F#圖二:化學機械研磨製程排放水再生技術 : 根據使用點即時分配原則而設計的廢水分配界面系統與遠端分配機(WISCARD)。

#P#晶圓廠實際測試
為了要擴建廠房,某一主要的半導體製造廠商考慮增加供水來源,其方式之一包括增建一座耗費頗巨的水井 (Well) 。除此之外,該公司亦考慮上述的用水技術,而決定嘗試使用上述的監控系統。該公司的工程人員將監控系統,連接到一台化學機械研磨設備後,從事為期六週的測試。
測試的過程中,排放廢水(Effluent)與直接再生用水(Reclaimed Water)的比例變化很大,直接再生用水所佔比例由最低的40%,變化到最高的97%,這台供測試的化學機械研磨設備,共計執行超過4,344個工作再生,產生高於337,700加侖的排放水,其平均日排放水量為7,342加侖,但是每日平均只有2,559加侖或者35%的排放水必需送至廢水處理系統處理,也就是說在為期六個星期的測試過程,65%的排放水可以不經處理,直接送至廠內再生用水使用。
測試的過程中亦隨機取樣以憑估超純水,自來水,含有研磨液的排放水,與被直接排放到廠內再生系統的水之品質,離子分析(Ion Chromatography)與原子元素頻譜(Atomic Element Spectrum)結果顯示,被送至廠內再生使用的排放水其品質高於自來水,如表二所示。除了提供非製程用水,如清洗設備使用,之外這些直接送至廠內再生系統的排放水是個絕佳的逆滲透(Reverse Osmosis;RO)水的進水來源,如此可以降低超純水的製造成本。
製造一噸超純水需要兩噸的自來水,但是如表二第二欄所示的再再生用水,由於其乾淨的品質,可以提供一個更乾淨,更有效率的進水來源。使用此再再生用水,可以減少製造超純水製造過程中清洗過濾器的次數,並且延長碳床的壽命。除此之外,由於此再再生用水的顆粒含量低於自來水的顆粒含量,因此可以有效提昇通過逆滲透膜的流量,使超純水的製造更有效率。
#F#表二:使用者憑估的數據顯示由化學機械研磨製程排放水所取得的清潔水適合於製造超純水

在使用上述排放水監控系統之前,化學機械研磨設備的排放廢水之固體含量為0.02wt%,有了上述裝置之後,由於排放廢水量減少了65%,送至廢水處理系統的廢水之固體含量增加為0.31wt%,在排放廢水量的降低與排放廢水固體含量的增加之重效應影響之下,使得排放廢水的處理較以前更加容易。
根據以上,分析半導體業者可以在不增加超純水製造設備與廢水處理設備的情況之下,增加化學機械研磨設備的數量。除此之外,這項技術亦提昇排放廢水的處理效率與降低成本。

#P#OEM進展
我們在化學機械研磨設備排放廢水技術方面的成功,是與SpeedFam-IPEC公司在其Auriga與Auriga C機型上改善用水效率的努力成果的一部份,在知道Lucid系統之前,SpeedFam-IPEC公司計劃主持人工程師Mary Reker正在研究一種將最乾淨(Cleanest)的用水送至較不乾淨(Less Clean)的用途來再生使用,以降低化學機械研磨設備整體水消耗量的策略,例如運送晶圓過程中的排放水,可以用來清洗管線(Tub Rinses)或者清潔整理墊外環(Conditioner Ring Birdbath)。SpeedFam-IPEC公司分析研磨與清洗過程排放廢水的污染程度,以決定最佳的再生使用情形,其他用水的最佳化策略有:使用超純水流量控制器,降低超純水的供應管線尺寸,以及其他種種方式。但是對於化學機械研磨設備的設備供應商而言,上述的改變將需要做機器設備的設計變更與客戶端的對於製程設備再評估。
#F#裝置LUCID’s WISCARD技術的SpeedFam-IPEC公司(機型Auriga C)的化學機械研磨設備。

工程師Reker經由使用點的水分離技術,來探討排放水再生使用的情形,她發現最為可行的方式就是將使用於晶圓下載站,指示平台,與清洗研磨頭的用水再生使用在清洗管線的過程(一項非製程的接觸式步驟),對於清洗管線的過程而言,這種方式每分鐘可以降低2.6加侖的用水消耗。
SpeedFam-IPEC公司將Lucid系統(舊型的圖二系統)安裝到Auriga C機型上測試,立即確認工程師Reker先前的發現,如圖三所示。絕大部份該化學機械研磨設備所排放的廢水,可以有效的加以分離與再再生使用,因為Lucid系統可以將排放廢水中,可以直接再生使用的部份,直接送至化學機械研磨設備之清洗管線的進口端,所以避免了昂貴的管線費用與系統中斷時間。但是只有一小部份的直接再生用水可以使用於清洗管線,其餘的直接再生用水必需送至廠務以供其他廠內用途使用。
#F#圖三:SpeedFam-IPEC公司(機型Auriga C)之化學機械研磨機台的排放水Turbidity變化趨勢圖

Auriga C機型每分鐘需要8加侖的超純水來做晶圓處理,2.6加侖的自來水來清洗管線,但是為了使配管方便,許多晶圓廠在安裝機器的時候,均使用超純水來做化學機械研磨設備的管線清洗。假設86%的8加崙/分鐘超純水可以回收再生使用,而回收再生用水中的2.6加侖/分鐘被使用來清洗管線,則每年可以節省以下的成本:
●如果使用超純水來清洗管線,使用量為2.6加侖/分鐘,1,000加侖的超純水需耗費16美元,則一年可以節省16,860美元。
●再生用水4.3加侖/分鐘,1,000加侖的成本為2美元,則可以節省4,520美元。
●廢水產生量為6.9加侖/分鐘,1,000加侖的處理費用為8美元,則可以節省29,013美元。
雖然因地點不同此數目會有些許變化,這個簡單的例子顯示此項用水技術,每年可能節省50,393美元。
目前SpeedFam-IPEC公司將這種不影響研磨製程(Process),效果(Performance),程式(Programming),與系統(System)的排放水監控系統安裝至每台旋轉式化學機械研磨設備上,以有效的降低水用量。

#P#降低研磨液使用量
除了水之外,完整的化學機械研磨設備排放水技術,必需考慮到研磨液的使用,一般而言,製程工程師都被強迫使用過多的研磨液用量,其用量介於250ml到1000ml之間。由於如果使用過少的研磨液,可能導至不良的平坦效果甚至損壞晶圓,超量使用研磨液是有其道理的。
雖然供應研磨液的蠕動式幫浦(Peristaltic Pump)的成本非常低廉,但是它的輸出重現性有限,亦即蠕動式幫浦無法長期提供共用供料迴路上(Shared Distribution Loop)每台化學機械研磨設備定量的研磨液,所以製程工程師對此特性必需非常的小心。幫浦本身正常的磨耗也會影響研磨液的流量,除此之外,當每台化學機械研磨設備被加入共用供料迴路上使用時,研磨液的供應壓力將會上下變動,當越來越多的化學機械研磨設備同時於線上使用時,管線上的研磨液壓力與供應至個別機台的研磨液流量都會下降,這些壓力與流量的下降意謂著單一機台供應量的減少,為了製程穩定起見,工程師必需超量使用研磨液。
要解決上述問題,就必需動態控制線上研磨液的壓力,使得個別機台的使用狀態不會對線上的研磨液壓力產生影響。針對此項議題,我們已經完成一套線上研磨液壓力控制系統,它包含一個檢測線上研磨液壓力變化的感測器與據此壓力變化來調整研磨液流量的空壓閥(Pneumatic Valve) 。除此之外,線上亦配置流量表以追蹤線上的研磨液流量,當線上的研磨液壓力與流量都能呈穩定狀態,蠕動式幫浦的產出就會更加穩定,而由於研磨液的穩定供應量,製程工程師就更能嚴格的控制研磨液的使用量,因而促成研磨液使用量的大幅降低。

#P#結論
在此我們提出一種同時針對水與研磨液的雙管齊下的用水技術,一方面降低排出廢水總量,另一方面亦增加排出廢水的固體含量百分比,由於排出廢水的性質更為一致,所以其後續作業更加容易預期與處理。另一方面由於將含有氧化物的研磨液與含有鎢,銅等金屬的研磨液分開,半導體業者可以將高品質的化學機械研磨設備排放水,應用到一些不同的工業用途上。再再生利用的研磨液可以使用在諸如織品製程(Textile Processing),光學元件研磨(Optical Grinding),與精密鑄造(Precision Casting)等用途上。

#P#參考文獻
1.Calculated from data in E. Schumann, Info Express: What Up From SEMI?“Silicon wafer shipments rise 25% in 1999, but concerns remain regarding future investment and R&D,”February 2000.

#P#作者
GARY CORLETT在California State Polytechnic University,Pomona取得工業工程學士與工業工程暨作業研究碩士學位,他也是位註冊的工業工程師。在創立Lucid Treatment Systems(前身為CMP Technologics)之前,作者曾經擔任Rockwell International的現場服務經理與FSI’s Applied Chemical Solutions的市場運作部門經理。他目前擔任Lucid Treatment Systems的技術副總,聯絡方式:住址2339 Technology Parkway,Suite A,Hollister,CA 95023; 電話:1-831-634-4800,傳真:1-831-634-4805,電子郵件 lucidgary@aol.com。



如何判斷活性碳是否應該更換

1. 新的活性碳可以測量碘吸附值,判斷活性碳的比表面積,以決定活性碳的品質。
2. 使用過的活性碳無法以上述方法檢查,因為活性碳含水後,要徹底的乾燥是有困難的(除非重新活化)。同時活性碳吸附了許多的雜質,這些在做碘吸附值時是很可能會造成量測的錯誤。
3. 用於前處理除去入水殘餘游離氯的活性碳,其喪失功效的主要原因是因為入水的顆粒雜質或者有機物將活性碳的孔隙堵塞,使得活性碳失去可接觸面積,進而使得除氯半率值增加,最後導致去除游離氯的能力劣化而必須更換。
4. 測試使用中的活性碳槽是否需要更換活性碳,茲提供下列的方法
甲、 請查閱所使用的活性碳種類及供應商所提供的除氯半率值表。
乙、 依活性碳的顆粒大小及操作的線性流速,查出除氯半率值的高度。
丙、 例,一8x30活性碳的除氯半率值在線性流速為26米/小時為10公分,活性碳床高為100公分。這表示入水的游離氯濃度, 在經過活性碳床後將殘餘為入水濃度的1024分之1。
丁、 因此,當入水游離氯濃度為0.2ppm時,其活性碳產水游離氯濃度為0.00019ppm。此值低於一般的量測設備的最低限值,因此顯示值為ND。
戊、 為測量活性碳的功能是否下降,可以在活性碳的入水處加入次氯酸鈉溶液,將入水游離氯濃度提高至10ppm。如果在活性碳產水量得游離餘氯濃度為0.2ppm,則可推估出活性碳除氯半率值的高度已增加至17.6公分。
己、 活性碳的效能約為原來的56%。假設活性碳已使用了1年,56%的殘餘效能並不等同活性碳還可使用1年。因為殘餘的表面積會加速的堵塞,使得劣化效果會越來越快。
庚、 此值是否表示活性應該更換,則應由使用單位決定。

新竹科學工業園區下水道可容納排入之水質標準



中華民國92年10月30日新竹市政府府工水字第0920087115號令訂定發布
條 文 內 容 說 明
第一條 本標準依據科學工業園區污水處理及下水道使用管理辦法第五條第二項規定定之。 明列訂定依據
第二條 園區內公民營事業及機關學校之預先處理設施之下水道可容納排入之水質標準(以下簡稱容許標準),其水質項目及限值如下表: 明定水質項目及最大容許限值
一 項目 最大容許限值
二 水溫 35℃ 沿用八十九年納管規定
三 氫離子濃度 5-10 沿用八十九年納管規定
三 生化需氧量 300 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
四 化學需氧量 500 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
五 懸浮固體 300 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
六 陰離子界面活性劑 10.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
七 油脂(正己烷抽出物) 25.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
八 酚類 1.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
九 銀 0.5 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
十 砷 0.5 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
十一 鎘 0.03 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
十二 六價鉻 0.5 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
十三 銅 3.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
十四 溶解性鐵 10.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
十五 總汞 0.005 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
十六 鎳 1.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
十七 鉛 1.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
十八 硒 0.5 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
十九 鋅 5.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
二十 總鉻 2.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
二十一 溶解性錳 10.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
二十二 氰化物 1.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
二十三 氟化物 15.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
二十四 硫化物 1.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
二十五 硼 1.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
二十六 甲醛 3.0 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
二十七 硝酸鹽氮 50 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
二十八 總有機磷劑 0.5 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
二十九 總氨基甲酸鹽 0.5 毫克/公升 沿用八十九年納管規定
三十 有機汞 不得檢出 沿用八十九年納管規定
三十一 多氯聯苯 不得檢出 沿用八十九年納管規定
三十二 有毒物質 不得檢出 原值完全禁止,於九十二年七月四日與公會召開研商會同意改為不得檢出
三十三 易燃或爆炸性物質 不得檢出 原值完全禁止,於九十二年七月四日與公會召開研商會同意改為不得檢出
三十四 放射性物質 完全禁止 沿用八十九年納管規定
三十五 動物羽毛 大於1毫米孔徑所篩出之動物羽毛,不得超出85毫克\公升 原值完全禁止,九十二年七月十一日與動科所協調出可接受及不影響處理設施功能
第三條 園區內公民營事業及機關學校經科學工業園區管理局核准之專用生活污水排放水質得不受前條最大限值之規定。 明定僅為生活污水排放者得免受前條最大限值之規定。
第四條 本容許標準自公告日施行。 明定標準施行日期。


新竹科學工業園區污水下水道使用費收費項目、單價、計量、水質分級、分級費率及計算公式表



中華民國92年10月30日新竹市政府府工水字第0920087115號令訂定發布

新竹科學工業園區污水下水道使用費收費項目、單價、計量、水質分級、分級費率及計算公式表
條 文 內 容 說 明
第一條 依據科學工業園區污水處理及污水下水道使用辦法第十四條規定訂定本計算公式。 明述計算公式訂定依據
第二條 無製程廢水廠商及機關之污水下水道使用費收費項目為水量,其污水下水道使用費收費計算公式如下:
污水下水道使用費=Q ×UQ
Q為污水量,UQ為污水量收費單價=12.9元/m3。
本局為園區下水道機構,處理區內廢污水,免收使用費,園區宿舍區住宅因徵收成本不符效益,免收使用費。 明定無製程廢水廠商及機關之污水下水道使用費收費計算公式
第三條 具製程廢水廠商之污水下水道使用費收費項目為水量、化學需氧量、懸浮固體及有害性污染物質(依本局當次採樣分析檢測項目),其污水下水道使用費收費計算公式如下:
污水下水道使用費=Q×(CQ+CC+CS)+(QH × CH)
Q為總污水量,CQ為污水量收費單價=6.0元/m3,CC為化學需氧量收費級距單價,CS為懸浮固體收費級距單價,CH為有害性污染物質或異常水質(COD或SS)收費級距(異常水質第4,5級)單價。QH為管理局通知廠商異常日起至廠商報請管理局複驗日止之有害性或異常水質(COD或SS)之污水量,如經管理局複驗檢驗水質不合格,由管理局再通知廠商改善、廠商再次改善後報請複驗,QH異常污水量則累計至複驗改善完成當次之廠商報請管理局複驗日止。流量以當季日平均用水量為計算單位。 明定具製程廢水廠商之污水下水道使用費收費計算公式。


九十二年版依照公會意見,將異常水量另計,不再將異常水量以季算。



第四條 前二條廠商及機關之污水量(Q)依下列方式計算:
一、使用自來水水源者,其污水量依自來水用水量百分之八十計算。
二、使用非自來水水源者,其污水量依實際用水量計算。
三、同時使用自來水水源及非自來水水源者,其污水量以第一款及第二款污水量合併計算。
前項第一款自來水用水量由科學工業園區管理局每月十至十五日派員至台灣省自來水公司抄錄各廠商及機關之用水量。 明定廠商及機關之污水量計算方式。
第五條 化學需氧量收費級距、水質分級、分級費率及收費單價計算公式如下:
明定化學需氧量收費級距、水質分級、分級費率及收費單價計算公式。




C5原依九十一年分級費率2.5,經試算合理收費,擬比照八十九年收費標準改為2.0。
級距 水質分級(mg/L) 分級費率 單價(元) 收費單價(CC) 計算公式
C1 0< COD 150 0.86 21.9 CC =21.9元×COD/1000×0.86
C2 150< COD 250 0.93 21.9 CC =21.9元×COD/1000×0.93
C3 250< COD 500 1.00 21.9 CC =21.9元×COD/1000×1.00
C4 500< COD 750 1.6 21.9 CC =21.9元×COD/1000×1.60
C5 750< COD 2.0 21.9 CC =21.9元×COD/1000×2.0
前項化學需氧量之濃度以該季水質之化學需氧量算術平均數為準。
第六條 懸浮固體收費級距、水質分級、分級費率及收費單價計算公式如下: 明定懸浮固體收費級距、水質分級、分級費率及收費單價計算公式



S5參考公會建議已將4倍之分級費率刪除,原S5值為2.5,經試算,分級費率調整為2.0,以反應合理收費。
級距 水質分級(mg/L) 分級費率 單價(元) 收費單價(Cs) 計算公式
S1 0< SS 100 0.80 24.7 Cs =24.7元×SS /1000×0.80
S2 100< SS 150 0.93 24.7 Cs =24.7元×SS /1000×0.93
S3 150< SS 300 1.00 24.7 Cs =24.7元×SS /1000×1.00
S4 300< SS 450 1.6 24.7 Cs =24.7元×SS /1000×1.60
S5 450< SS 2.0 24.7 Cs =24.7元×SS /1000×2.0
前項懸浮固體之濃度以該季水質之懸浮固體算術平均數為準。
第七條 有害性污染物質收費級距、水質分級、分級費率及收費單價計算公式如下:
明定有害性污染物質收費級距、水質分級、分級費率及收費單價計算公式


1.依公會建議刪除4倍之分級費率並將公式無因次化,以合理反應有害物水質分級,並經試算收費,決定比照九十一年收費費率修訂。
2.本次依公會建議,單價調整統一為1,000元,新增有害性污染物收費項目:酚類、總汞、硒、總鉻。
級距 水質分級 分級費率 收費單價(CH) 計算公式
H1 (Pd/Psd)1 0 CH =0
H2 1<( Pd/Psd)2 1.60 CH =Uh × (10Pd / Psd)/1000×1.60
H3 2<( Pd/Psd) 2.50 CH =Uh ×(10Pd /Psd)/1000×2.5
Pd為排放水水質濃度(mg/L),以每次採樣分析抽驗水質單獨計算,Psd為進廠容許限值(mg/L),Uh為有害性污染物收費單價。各種有害性污染物收費單價每公斤1,000元,收費項目如下:陰離子界面活性劑、油脂、酚類、銀、砷、鎘、六價鉻、銅、總汞、鎳、鉛、硒、鋅、總鉻、氟化物、氰化物。

第八條 第五條至第七條之化學需氧量、懸浮固體及有害性污染物質之水質由科學工業園區管理局派員每月不定期檢驗水質測定。 明定化學需氧量、懸浮固體及有害性污染物質之水質檢測方式。
第九條 廠商或機關之廢(污)水處理設施、生產設備或貯存設施發生故障時,於故障發生二十四小時內,每單項異常以參萬元加計於污水費中,超過二十四小時以後,則依第三條水質異常計費方式計價,如有造成損害,並負責修護設備所需費用。
前項所指故障應符合下列規定:
(一)因不可抗力原因發生意外事故,或因廢(污)水處理設施(或設備)一部份或全部失去功能,致不符合容許標準者。但廢(污)水處理設施因操作失當、未執行預防性維修操作或曾經發現並經限期完成改正之設計不當所引起者,不在此限。
(二)立即於故障紀錄簿中記錄故障設施(或設備)名稱及故障時間,並向科學工業園區管理局污水處理廠電傳報備,電傳報備應有報備人姓名、職稱。
(三)於故障發生二十四小時內恢復正常操作或於恢復正常操作前減少、停止生產及服務作業。
(四)於五日內向科學工業園區管理局提出書面報告。
(五)故障與所違反之該項排放水質有直接關係者。
(六) 不屬六個月內相同之故障。
前項第四款書面報告內容應包括下列事項:
(一)設施(設備)名稱及故障時間。
(二)發生原因及修復方法。
(三)故障期間所採取之污染防治措施。
(四)防止未來同類故障再發生之方法。
(五)前項第一款及第二款有關之證據資料。 明定廠商污水意外事故排放之污水下水道使用費收費處理方式。


第十條 本計算公式自發布日起施行。 明定計算公式之施行日期。

防爆等級區分說明


連續洩漏等級(Continuous Grade Release):連續洩漏或發生時間不長但很平常。
主要洩漏等級(Primary Grade Release):洩漏很可能周期性發生或正常時偶爾會發生。
次要洩漏等級(Secondary Grade Release):正常時不太可能發生,任何情況下,只有不平常時會發生但只發生短時間。
自然通風(Natural Ventilation):因風或傳統效應之通風。
人工通風(Artificial Ventilation):因使用換氣或機械工具如:風扇或抽風機輔助之通風,可能是整體或區域性的通風。
開放空間(Open Area):沒有阻擋物的區域,在開放空間下,蒸氣會迅速被風或自然的方法擴散。正常的風速很少小於0.5m/sec而通常在2m/sec以上。
遮蔽或限制阻礙開放空間(Sheltered or Obstructed Open Area):在開放區域內或鄰近區域,可能包含部分開放建築或結構。因為阻礙自然通風以致小於自然開放區域。此種狀況可能加大危險區域之範圍。
封閉區:封閉區指的是所有建築、房間或封閉空間,沒有人工通風裝備,通風被限制而且任何可燃性氣不會自然散逸之區域。
危險半徑(Hazard Radius):定義為危險區域之最大水平範圍。由位於開放空間之洩漏源產生者。
封閉區域(房間、建築或空間):一個三度空間被2/3以上可能的投射平面表面積所封閉,同時有足夠的尺寸容許人員之進入。對於一個典型的建物,須要超過2/3的牆、頂和地板之總面積。
電氣封閉箱:電氣器具的箱子或容器用來避免被人意外接觸到具能量之零件和保護設備被破壞。某些封閉箱也可當成避免電氣設備成為封閉箱外面易燃性混合物之引火源。
防爆封閉箱:一個封閉箱能承受特定氣體或蒸氣在其裡面的爆炸,同時避免接著引燃環繞其周圍的易燃性氣體或蒸氣。同時在其操作下的外部溫度不會引燃周圍的易燃性氣體或蒸氣。

正壓封閉箱(Purged):一個封閉箱或建物,使用清潔空氣或隋性氣體以足夠之流量和正壓以減低任何易燃性氣體或蒸氣之蒸發濃度到一可接受的安全水平,同時使用正壓維持此安全水平,可以連續或非連續性流通之方式。(NFPA No.496)
易燃性:能輕易被引燃、猛烈燃燒或火焰快速擴散之性質。
爆炸極限:氣體在氣體/空氣混合物中會形成可燃性混合物之上限和下限容積百分比。(NFPA No.325M)
易燃性液體(IA, IB和IC液體):液體之閃點在100℉(37.8℃)以下,且其在絕對大氣壓(276Kpa)100℉(37.8℃)時之蒸氣壓不超過40Pounds/in2。易燃性液體細分為IA、IB和IC。(NFPA No.30)
閃點(Flash Point):液體散發蒸氣足夠在液體表面形成和空氣之可燃性混合物之最低溫度。(測試程序和器具在NFPA No.30中有詳細說明)
地板面積(Floor Area):在一封閉區內之最大任一水平面截面積。
不固定擴散(Fugitive Emissions):連續性易燃氣和蒸氣之洩漏;相對於設備失效之洩漏非常之小。這種洩漏通常發生於封閉系統正常操作時之洩漏。例如:泵浦油封、閥門墊片和法蘭其之墊片。
比空氣重氣體:比重比空氣重之氣體(IP為氣體/空氣比重0.75以上, IEC為0.8以上)。
比空氣輕氣體:比重比空氣輕之氣體(IP為氣體/空氣比重0.75以下,IEC為0.8以下)。
設備高溫:設備之操作溫度超過自燃溫度之80%,以參與氣體或蒸氣之度數表示(℃)。
高度揮發液體:液體之蒸氣壓在絕對壓力(276Kpa) 100℉(37.8℃)下超過40磅/in2。
可燃性混合物:可被開放性火焰、電弧或火花或操作溫度在氣體/空氣混合物之自燃溫度以上的裝置所引燃之氣體/空氣混合物。
自燃溫度(Ignition Temperature):在正常大氣壓力下,引起或造成自發性爆炸的最低溫度。(和其它外部之熱源無關)
場所:此處泛指區域、空間和位置互相通用之名詞,以指定一個三度空間區域。
石油煉製:石油液體或蒸氣連續在溫度與壓力可影響其化性與物性下之內的設施。
管路傳送設施:傳送易燃或可爆性石油液體或易燃性氣體之設施。包含泵浦和壓縮站、儲存設施、加壓站、閥門場所和管線通過之區域。
生產區域:易燃性石油氣和活性液體生產、處理(例:壓縮)、儲存、傳送(例:抽取)、或其它在進入運送裝置前之處理區。
燃燒桶槽:任何燃燒桶槽,具有設備(例如:火焰捕捉器、溫度偵測關機、安全控制、強迫通風、燃燒器和火花捕捉器)設計以防止空氣之進入和排出成為引火源之裝置。
蒸氣壓:在絕對大氣壓下,使用ASTM D323-82中之規範揮發性液體產生之壓力。
氣密隔離器:不容許在大氣壓下有過量氣體或蒸氣通過之隔離器。
通風充足:通風(自然或人工)足以避免蒸氣/空氣混合物之濃度累積超出其爆炸下限(LFL)25%以上。
通風不足:通風之情形小於充足之狀況。
揮發易燃液體:易燃性液體之溫度在其閃點溫度以上,或第二類易爆性液體,蒸氣壓於100℉(37.8℃), 276 Kilo-pascals下不超過40Psia且溫度在其閃點以上之液體。
管線工作區:油井管線工作操作經過潤滑設備之區域。
美國石油協會:(American Petroleum Institute, API)
美國國家電工法規:(National Electric Code, NEC)
國際電工委員會:(International Electrotechnical Commission, IEC)
石油協會:(Institute of Petroleum, IP)
第I類 1級區(Class I division 1):在正常操作條件下存在足夠濃度之易燃性或蒸氣之場所;或在設備故障時可能同時洩放易燃性氣體或蒸氣且造成電氣設備失效之場所。
第I類 2級區(Class I division 2):易燃性氣體或蒸氣可能出現,但正常時局限於封閉系統內之場所,一般須使用機械通風以避免累積;或緊鄰 1級區且偶爾會與其流通,而具足夠易燃性氣體或蒸氣濃度之場所。
0 區(Zone 0):爆炸性氣體環境連續性或長期存在之場所。
1 區(Zone 1):爆炸性氣體環境在正常操作下可能存在之場所。
2 區(Zone 2):爆炸性氣體環境在正常操作下不太可能發生,如果發生只偶爾且只存在短期間之場所。
第一章 計畫概述
1.1 前言
在具有易燃性氣體或蒸氣可能存在的場所,為了防止使用之電氣設備成為引火源,置於這種危險性區域的電氣設備須具有防爆功能之設計,此為一般公認之準則。但要使這些防爆電氣設備發揮其功能,必須將其正確的安置於適用的等級場所。因此明確定出防爆等級範圍為正確使用防爆電氣設備的首要工作。對廠商而言,過大的區域範圍設定,將使設置費與維護費大增,對小規模之業者而言,可能因費用太高而影響其經營,影響甚大。反之,如果不適當的縮減,在安全上亦可能產生潛在之危害。所以適當的規劃危險區域等級範圍,是一項重要的工作。對於檢查單位而言,不明確的規劃方法亦可能造成極大困擾。
先進國家對於防爆危險區域的劃分,較完整的規範有美國石油協會(American Petroleum Institute, API)、國際電工委員會(International Electrotechnical Commission, IEC)、美國國家電工法規(National Electrical Code, NEC)及石油協會(Institute of Petroleum, IP)等規範。國內對於電氣防爆危險區域劃分尚未有明確之規範。因此,對於先進國家訂立之方式,將先加以比較分析。並針對幾種製程中常遇到的設備洩漏源比較其劃分方式之異同,再配合危害分析軟體,建立洩漏擴散模型,瞭解擴散範圍之設定條件需求。應用這些點洩漏源資料,將可做為其它狀況時電氣防爆危險區域範圍劃分及選用危險範圍時之參考。

2.1 危險區域等級分類法則比較
對於危險區域之等級劃分美洲及歐洲使用之方法,以往略有不同,有兩級及三級之分。但最近數年大多接受IEC(International Electromechanical Commission)各項分類方式如下:
1. API之區域分類法(API RP500)
API有關於氣體或蒸氣之分類為:
第I類1級區(Class I division 1)-在正常操作條件下存在足夠濃度易燃性氣體或蒸氣之場所;或在設備故障時可能同時洩放易燃性氣體或蒸氣且造成電氣設備失效之場所。
第I類2級區(Class I division 2)-易燃性氣體或蒸氣可能出現,但正常時局限於封閉系統內之場所,須使用機械通風以避免累積;或緊鄰1級區且偶爾會與其流通,而具足夠易燃性氣體濃度之場所。
2. NEC區域等級分類法(NEC 505-7) 
NEC(National Electric Code)沿襲美國NFPA之分類法以兩級制使用多年,但於1996年接受IEC之區域劃分法承認Zone 0, 1, 2之三級劃分法。(NEC 505-7)
第I類0區(Class I Zone 0):易燃性氣體或蒸氣達到足夠濃度的情形連續存在或存在很長的一段時間之場所。
第I類1區(Class I Zone 1):
(1)易燃性氣體或蒸氣達到足夠濃度的情形在正常操作時可能存在之場所,或
(2)因為修護或保養因洩漏而使足夠濃度之易燃性氣體或蒸氣經常存在,或
(3)設備操作或運作中,因其特性在設備停機或錯誤操作時可能造成易燃性氣體或蒸氣洩漏濃度增高,同時造成電氣設備之失效而成為引火源,或
(4)鄰近第I類0區之區域,以致可能有易燃性氣體或蒸氣高濃度之累積。
第I類2區(Class I Zone 2):
(1)易燃性之氣體或蒸氣在正常操作時不太可能發生,如發生時也很短,或
(2)揮發性易燃液體、易燃性氣體或易燃性蒸氣在處理、製造或使用時,通常在密閉容器或密閉系統中,只有在意外破裂或容器失效或設備不正常操作處理時液體或氣體可能洩漏,或
(3)可燃性氣體蒸氣正常時,已使用正壓方式避免發生濃度太高,但可能因不正常操作使通風系統失效,或
(4)遴近第I類1區之區域,以致易燃性氣體可能與其相通之場所。
3. IEC之區域等級分類(IEC 79-10)
o 區(Zone 0):爆炸性氣體環境連續性或長期存在之場所。
1 區(Zone 1):爆炸性氣體環境在正常操作下可能存在之場所。
2 區(Zone 2):爆炸性氣體環境在正常操作下不太可能發生,如果發生亦只偶爾且只存在短期間之場所。
4. IP之區域等級分類
石油協會有關洩漏源之等級與IEC之分類法一樣分成三級:
連續洩漏等級(Continuous Grade Release):連續洩漏或發生時間很短但很平常。
主要洩漏等級(Primary Grade Release):洩漏很可能周期性發生或正常時偶爾會發生。
次要洩漏等級(Secondary Grade Release):正常時不太可能發生,任何情況下,只有不正常時偶爾發生且只發生短時間。
洩漏等級決定於洩漏之頻率和期間。與洩漏之速率和量無關、與通風等級、或流體特性亦無關。一般使用之量化參考數據為:
連續洩漏:1000時/年以上。
主要洩漏:10~1000時/年間。
次要洩漏:10時/年以下。


在開放空間的狀況時,有如下之關係:
連續等級  0 區 (Zone 0)
 主要等級  1 區 (Zone 1)
 次要等級  2 區 (Zone 2)
5. 區域等級對應關係比較
上述四種常用標準之對應關係為:
表1 區域劃分等級對應表
API NEC IEC IP
舊 新
Class I
Division 1 Class I
Division 1 Zone 0 Zone 0 Zone 0
Zone 1 Zone 1 Zone 1
Division 2 Division 2 Zone 2 Zone 2 Zone 2

2.2 易燃性物質分類法則比較
易燃性物質之揮發性質不同,在製造過程中因洩漏產生揮發時,其擴散之範圍亦因此會有所不同。 因此,在研究可能之擴散危險區域範圍時,對於易燃性氣體、液體無論何種標準一般皆依其特性分類以便於歸類管理。常用之國際上重要分類法有下列數種:
1. API對易燃性物質之分類法(API RP500)
易燃性液體(flammable liquid) :閃點在100℉(37.8℃)以下,在100℉(37.8℃)絕對大氣壓(276kpa)下,蒸氣壓不超過40 pounds/in2之液體。易燃性液體再細分為Class IA、IB和IC。
高度揮發性液體(Flammable Highly Volatile Liquids) :閃點在100℉(37.8℃)以下,在100℉(37.8℃)絕對大氣壓276kpa下,蒸氣壓超過40 pounds/in2之液體。
爆炸性液體(Combustible Liquids):閃點在100℉(37.8℃)以上之液體。
爆炸性液體細分如下:
第 II類(Class II)液體:閃點在100℉(37.8℃)以上,140℉(60℃)以下。
第IIIA類(Class IIIA)液體:閃點在140℉(60℃)以上,200℉(93℃)以下。
第IIIB類(Class IIIB)液體:閃點在200℉(93℃)以上。
2. NEC對易燃性物質之劃分法
第I類(Class I) :易燃性氣體或蒸氣在空氣中之量,足以產生爆炸或可燃性混合物之場所。
第I類再區分為:
A群(Group A):含有Acetylene(乙炔)之環境。
MESG小於或等於0.003 in.
B群(Group B):含有氫氣和其它氣體之環境。
MESG小於或等於0.003 in.
C群(Group C):含有硫化氫和其它氣體或蒸氣之環境。
MESG大於0.003in,小於等於0.012in.。
D群(Group D):含有丁烷、汽油、己烷、甲烷、天燃氣、丙烷和大部分其它碳氫化合物氣體和蒸氣。
MESG大於0.012in.小於等於0.029in。
1996年接受IEC之分法承認:
GroupⅡC等於原Class I Group A和B類
GroupⅡB等於原Class I Group C
GroupⅡA等於原Class I Group D
上述之分類法是依MESG(Maximum Experimental Safe Gap)最小引火電流(MIC)或兩者之值分類的。
3. IEC 對易燃性物質之劃分法
IEC之分類法為:
IIA MESG 等於或大於 0.9mm
IIB MESG 大於 0.5mm 小於 0.9mm
IIC MESG 小於或等於 0.5mm

4. IP對易燃性物質之劃分法
石化液體之蒸發特性分類:
Class 0 LPG
Class I 閃點21℃以下
Class II(1) 閃點21℃~55℃ 在閃點以下處理時
Class II(2) 閃點21℃~55℃ 在閃點及以上處理時
Class III(1) 閃點55℃以上~100℃ 在閃點及以下處理時
Class III(2) 閃點55℃以上~100℃ 在閃點及以上處理時
Unclassified 閃點100℃以上

此種分類法在做危險半徑(Hazard Radius)範圍設定時,仍不甚方便,因此有下列之更進一步分類:
A類液體:易燃性液體,洩漏時將迅速蒸發包含有:
(a)所有液化石油氣或輕液化可燃氣。
(b)任何易燃性液體除周圍環境在無外熱源時,在某一溫度下,可產生40%以上之蒸發量。
B類液體:不屬於A類易燃液體,但在洩漏時具有足夠之溫度達到沸點。
C類液體:不屬於A或B類易燃液體,但於洩漏時溫度在閃點以上時形成霧態易燃性蒸氣。
G類液體:易燃性氣體或蒸氣。
在IP(Institute of Petroleum)中以液體蒸氣壓及操作溫度來分時可以下圖表示:






A類液體:1. nC4線左側線;例如:LNG, C2, C3, C4或在1bar線上之混合物。或LPG儲存於室溫加壓狀態下。
2. 5bar(abs)線之上部;一般在加壓下之製程。少部分之蒸氣壓在5bar以上時會減去40%以上重量。如果能使其在洩漏時,減除量少於40%重量,則此液體將歸於B類。
B類液體:1.nC4和nC5線間之區域。如果B類液體在室溫以下處理,假設在洩漏時,如果和熱表面接觸將會被加熱到最高室溫或更高之溫度。
2.1bar和5bar(abs)間之線。典型低壓製程,例如:原油清洗,原油蒸餾。
C類液體:1.室溫以上區域和0.01bar閃點漸進線和1bar以下之線。典型之處所為加熱儲存和蒸空製程。
2.nC5右側區和NH線之左側。這些區域包含Class I, II, III儲存物質。在洩漏時將會達閃點以上之溫度(Class II(2)和Class Ⅲ(2))。
非危險液體區:歸入此類之液體必須在閃點以下處理。此狀況包含不正常狀態下之洩漏。典型的例子包含煤油和重油的產物且未被加熱或不可能被加熱至其閃點溫度以上者。
圖3 IP液體分類分佈圖
大部分的情形,用圖3之輔助都可迅速判斷液體的類別。如有疑問不太確定時應使用較嚴格之等級,或者在最大操作條件下經仔細計算後方可使用較不嚴謹之等級。
使用圖3 的例子:在分餾製程中,起始沸點(IBP)170℃時,其閃點大約55℃。加熱時如溫度在55℃以下可當成非危險區(NH)(Class III(1)),蒸氣壓將會沿170℃IBP之線向上增加。在55℃和170℃間將會在其閃點(Class III(2)以上,但在沸點以下時將歸為c類液體。在170℃~245℃間,蒸氣壓將會在1bar(abs)以上,5bar(abs)以下而為B類液體。在245℃以上時其蒸氣壓將為5bar(abs)以上,因而歸為A類液體。
5. 各種易燃性物質分類方法比較
上述之各種分類法,歸納其分類差異如下表:
表2 易燃性液體分類比較表
API NEC IEC IP
舊 新
易燃性液體
Class I閃點低於100℉(37.8℃) Class I
Group
A
B


ⅡC


ⅡC Class 0
Class I LPG
閃點21℃以下
蒸氣壓低於40 Pb/in2。 C ⅡB ⅡB Class Ⅱ(1) 閃點21℃~55℃
閃點以下處理
高度揮發性液體
閃點低於100℉(37.8℃)
蒸氣壓高於40 Pb/in2。
D ⅡA ⅡA Class Ⅱ(2)

Class Ⅲ(1)

Class Ⅲ(2) 閃點21℃~55℃
閃點以上處理
閃點55℃~100℃閃點以下處理
閃點55℃~100℃閃點以上處理
爆炸性液體
閃點100℉(37.8℃)及以上
ClassⅡ閃點100℉及以上140℉(100℃)以下
ClassⅢA閃點140℉及以上200℉(93℃)以下
ClassⅢB閃點200℉以上 另採
A類
B類
C類
G類

半導體製程用濕式化學品的發展趨勢



伊默克化學科技 行銷暨海外事業部經理 廖伯佑
業務處處長 李盈壕
摘要
台灣的半導體產業經過近十餘年來產、官、學界的努力,已躍升成為全球第四大IC生產國,未來更有多座十二吋晶圓新廠將陸續投入,包括晶圓代工、記憶體、ASIC等不同半導體產品製造之領域。而因應半導體工業製造的需求,高精密濕式化學材料也伴隨之快速發展。本文將就化學材料中具關鍵代表性之高純度化學藥品在半導體製程應用及發展趨勢,分別作一介紹。


關鍵詞
濕式化學品 (wet chemicals)、濕式清洗 (wet cleaning)、濕式蝕刻 (wet etching)、黃光 (photolithography)、化學氣相沉積 (CVD)、化學機械研磨 (CMP)。


前言
近幾年來隨著我國積體電路及平面顯示器產業的持續蓬勃發展,不僅帶動了傳統化學、化工、機械、電機、建築等產業的相繼轉型投入;更重要的是這些傳統產業的升級,也相對地加速了我國半導體相關產業在產品品質及世界競爭力上的提升。以濕式化學品在半導體的應用上為例,雖然半導體生產所需化學品金額僅佔每單位晶圓生產成本的3~4%,但化學品的純度及品質卻直接影響到最終產品的良率和元件的品質暨可靠度。在0.13m製程以下製程平坦化的技術,以及銅製程的應用中,濕式化學品更將扮演著舉足輕重的角色。
半導體基本製程大略可分為薄膜、擴散、微影、蝕刻及化學機械研磨等模組,所使用之濕式化學品如下圖一所示。以下將針對各模組在其製程所需之化學品做剖析。

圖一、半導體生產流程圖


濕式潔淨技術與高純度化學品
在次微米晶圓製造過程中,無論是薄膜沈積、高溫爐管擴散、氧化或是蝕刻後晶圓表面處理,都需要經過許多高純度的化學品的清洗,再以超純水洗滌至最後以異丙醇除水乾燥的步驟。從60年代早期開始發展的RCA洗淨配方,一直被沿用至今日,雖然在各個模組中持續開發出不同的應用方式,也只限於在化學品的比例及清洗的順序上做了些微的調整。但是在目前閘極氧化層的厚度已小於100埃(Å),為達到閘極氧化層電性的要求及元件品質及可靠度,化學品的純度卻必須一直不停的被提升(如表二)。

Year 1986 1990 1993 1997 2001 2003
記憶體 (bit) 1M 4M 16M 64M 256M 1G
製程線寬 (m) 1.2 0.8 0.5 0.25 0.18 0.13
金屬不純物 規格 (ppt) 10,000 1,000 500 100 10 5
實測值 (ppt) 5,000 500 100 10 1 0.5
微粒子 規格 (m) 0.5 0.5 0.3 0.2 0.1 0.05
(pcs/ml) 50 50 200 100 100 100
實測值 (m) 0.5 0.5 0.3 0.2 0.1 0.05
(pcs/ml) 30 10 50 30 30 30
表二、高純度化學品規格演進(資料來源:伊默克化學, 2002)

洗淨的主要目的,是藉由高純度的化學品,來移除晶圓表面的細微污染,其中包含:微粒子、金屬不純物、有機污染物以及自然氧化層等。但製程上卻應盡量避免污染源的進入,並隨時保持人員、機台及材料的潔淨,才是真正克服晶圓污染的方法。以下將對各類污染源及化學品清洗的機制做討論。

晶片污染源
一般而言,矽晶片上可能的污染大約可分為微粒子、金屬、有機物、表面微粗糙度及自然生成氧化層等五大類,其可能來源及對製程的影響如表三。


污染源 污染來源 可能影響
微粒子 化學品、氣體
儀器設備
環境
操作人員 閘極氧化層崩潰電壓下降
生產量率降低
金屬不純物 儀器設備
離子佈植
乾蝕刻製程
化學品及金屬容器 接合介面漏電流
氧化層崩潰電壓下降
元件可靠度降低
有機污染物 光阻
環境
塑膠容器
操作人員 蝕刻不完全
降低氧化層品質
表面微粗糙 化學藥品
晶圓材料
洗淨方程式 閘極氧化層崩潰電壓下降
低載子遷移率
自然生成氧化層 空氣中濕氣
純水中溶氧
化學品 接觸窗電阻上升
氧化層品質劣化
不良金屬矽化物
表三、晶圓污染源及影響

其中微粒子的污染一般來自製程用中所使用的超純水、氣體及化學品,以及機台、晶舟甚至是製程線上的人員。藉由靜電、凡得瓦爾力、毛細管現象或化學鍵而吸附於晶圓表面,或者陷入晶圓表面細微凹凸而生成的溝渠之中。金屬不純物主要來自於離子植入、乾式蝕刻及光阻灰化時,因離子撞擊機台內壁所造成;另外製程環境及化學品與化學品容器本身,也是可能的污染來源之一。有機污染物則多來自光阻的殘留物,另外牆壁的油漆、幫浦的機油、塑膠容器以及作業員的身體及衣物也都是可能的來源。自然生成氧化層肇因於晶圓表面暴露於空氣或水中的溶氧,而氧將晶圓表面的矽氫鍵(Si-H)氧化成為羥基(Si-OH),或是將矽氧化成為二氧化矽所生成,其中反應的速率與溶氧濃度即浸泡時間有關。最後,晶圓表面的微粗糙一般來自於潔淨製程中SC-1的製程,並與清洗溶液中氨水及雙氧水的混和比例、製程溫度及洗淨時間有直接的關聯。

濕式化學品清洗機制
(1) NH4OH/H2O2/H2O (SC-1, APM):
利用氨水的弱鹼性活化矽晶圓及微粒子表面,使晶圓表面與微粒子間相互排斥而達到洗淨的目的;雙氧水也可將矽晶圓表面氧化,藉由氨水對二氧化矽的微蝕刻達到去除微粒子的效果。另外氨水與部分過渡金屬離子易形成可溶性金屬錯合物,也可同時去除部分金屬不純物。一般的APM製程是以NH4OH:H2O2:H2O=0.05~1:1:5的體積比在70℃下進行,由於氨水的沸點較低且APM步驟容易造成表面微粗糙的現象,因此氨水與雙氧水濃度比例的控制在所有洗淨製程中最為困難,卻也是影響製程良率的關鍵。
(2) HCl/H2O2/H2O (SC-2, HPM):
HPM步驟在金屬雜質的去除上扮演重要的角色。由於一般的金屬氯鹽皆可輕易的溶於水中,因此HPM製程利用雙氧水氧化污染的金屬,再以鹽酸與金屬離子生成可溶性氯化物而溶解。製程中最常使用的是HCl:H2O2:H2O=1:1:6的體積比,在70℃下進行5~10分鐘的清洗。
(3) H2SO4/H2O2 (SPM, Piranha Clean, Caro Clean):
主要是在清除晶圓表面的有機物。利用硫酸及雙氧水生成的卡羅酸,其強氧化性及脫水性可破壞有機物的碳氫鍵結,而達到去除有機不純物的目的。在操作上常以H2SO4:H2O2=2~4:1的體積比,在130℃的高溫下進行10~15分鐘的浸泡。
(4) HF/H2O (DHF)或HF/NH4F/H2O (BHF):
應用於清除矽晶圓表面自然生成的氧化層,可使用稀釋後的氫氟酸(0.49%~2%)或是以氫氟酸與氟化銨所生成的緩衝溶液HF/NH4F=1:200~400,在室溫下進行15~30秒的反應。
為了防止水分中的溶氧再次與剛洗淨的矽表面反應,洗淨最後會再以異丙醇來做乾燥,並且可同時避免在晶圓表面留下水痕。
近幾年來,許多乾式的清洗的方程式被相繼的提出,包括日本東北大學Ohmi教授所提出之新式清潔流程,或是利用氣態的鹽酸及氫氟酸來取代濕式的製程;但目前都僅限於部份製程的應用,尤其乾式清洗對許多重金屬的清洗仍未能有效去除,因此濕式洗淨用的化學品在未來仍將扮演著重要的角色。

濕式洗淨 溫度 乾式洗淨 溫度
1 SPM (H2SO4/H2O2) 120-150OC O3/H2O 室溫
2 UPW Rinse 室溫 FPM (HF/H2O2/H2O) 室溫
3 DHF (HF/H2O) 室溫 UPW Rinse 室溫
4 UPW Rinse 室溫 O3/H2O 室溫
5 SC-1 (NH4OH/H2O2/H2O) 70-90OC DHF 室溫
6 UPW Rinse 室溫 UPW Rinse 室溫
7 Hot UPW Rinse 70-90OC
8 UPW Rinse 室溫
9 SC-2 (HCl/H2O2/H2O) 70-90OC
10 UPW Rinse 室溫
11 DHF (HF/H2O) 室溫
12 UPW Rinse 室溫
表四、濕式及乾式清洗流程比較

微影用高純度化學品
微影製程的發展決定了積體電路代表性的指標—元件線寬大小,因此光阻材料成為IC製程中十分關鍵的材料。黃光步驟包含去水烘烤、黏著層塗佈、光阻塗佈、去邊、軟烤、曝光、烘烤、顯影及硬烤等步驟,其中所使用的關鍵材料如表五所示,包含有光阻、光阻稀釋液及顯影劑等。

製程機台 製程步驟 使用化學品
光阻塗佈機 去水烘烤
黏著處理 HMDS
光阻塗佈 光阻
晶緣殘餘光阻清洗 光阻稀釋液
軟烤
對準曝光設備 曝光
顯影設備 曝光後烘烤
顯影 顯影劑
硬烤
表五、黃光區微影製程使用之化學品

光阻
半導體製程所使用的光阻主要是由樹脂、感光劑及溶劑所組成,其中樹脂主要功能是做為蝕刻或離子植入時的阻障層;感光劑的部分則是照光後反應成易與顯影劑反應的化合物,以利顯影製程進行;溶劑用來使樹脂及感光劑均勻的分散,讓光阻塗佈製程得以順利進行。依光源的不同,光阻劑可分為G-line(436nm)、I-line(365nm)與深紫外線 Deep UV(193-248nm)三大類;深紫外線光阻劑與一般G-line、I-line的光阻劑最大差異在於,使用G-line、I-line光阻在曝光之後,即可直接進入顯影製程,而深紫外線光阻則必須再經過化學增幅法,才能進行顯影。

G-line光阻劑隨著機器之汰換而退出半導體製程,再加上I-line光阻劑的應用臨界在0.3μm線幅製程,而國內半導體業者已進入0.25μm線寬以下製程;因此近幾年我國半導體工業在光阻劑的使用,已經從G-line、I-line的光阻,進入到曝光波長更短的的深紫外線領域。如何在有限的晶圓上佈植更多電路圖案,惟有追求更細微的線寬,並朝向愈短曝光波長發展。未來進入0.13μm甚至0.09μm線寬製程,有賴於開發193nm深紫外線光阻劑。而隨著線寬朝向下一新世代發展,預估未來光阻材料將由157nm光阻劑接班。

光阻稀釋液
光阻乃是經由旋轉塗佈程序而在晶片上形成薄膜,但經常會在晶片邊緣形成珠狀殘餘物(Edge Bead).此晶圓殘餘光阻若不予以清除,將有可能會污染晶舟及其他晶圓表面,或甚至影響到曝光的效果;因此在顯影前必須使用光阻稀釋液,將晶圓殘餘光阻清洗乾淨。目前工業上較常使用之光阻稀釋液包括PO類的溶劑,例如VP-3, PGMEA, PGME;乳酸鹽類如Ethyl Lactate及酮類或酯類如Methyl Ethyl Ketone, n-Butyl Acetate等;其中以PGME及PGMEA混和的PO溶劑最被業界廣泛接受,然一般光阻稀釋液都有低燃點及高毒性的缺點,新一代開發的稀釋液如PGMEP等具有低毒性及較高閃點的優點,將可改善黃光區化學品對人體及環境安全的危害。

顯影劑
光阻材料在經過曝光過程之後,須再經由顯影過程將曝光的圖案顯現出來,而顯影製程之原理,是利用鹼性的顯影液與經曝光之光阻層部份進行酸鹼中和反應,使其與未經光阻層結構部份形成對比而達到顯像效果.在以往顯影劑為稀釋的氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉或碳酸鉀等水溶液,但由於鈉、鉀金屬離子可能會對元件造成污染,近年半導體製程來已逐漸改用稀釋的有機鹼溶液取代,如氫氧化四甲基銨(TMAH)溶液或氫氧化四乙基銨(TEAH)等,並在顯影劑中添加消泡劑及界面活性劑,以達到最好的潤濕及顯影效果.


蝕刻用濕式化學品
濕式蝕刻技術的優點在於其製程簡單、成本低廉、蝕刻選擇比高且產量速度快,而由於化學反應並無方向性乃是屬於一種等方向性蝕刻。濕式蝕刻的機制,一般是利用氧化劑將蝕刻材料氧化,再利用適當的酸將氧化後的材料溶解於水中。另外,為了讓蝕刻的速率穩定並延長化學品使用時間,常會在蝕刻液中加入介面活性劑及緩衝溶液來維持蝕刻溶液的穩定。一般而言,濕式蝕刻在半導體製程可用於下列幾個材料:

二氧化矽層蝕刻
以氫氟酸及氟化銨(HF/NH4F)所形成之緩衝溶液來蝕刻二氧化矽層,化學反應式如下:

SiO2 + 4HF+2NH4F  (NH4)2SiF6 + 2H2O

利用氫氟酸來蝕刻二氧化矽層的機制中,決定蝕刻速率的是[HF2-]的濃度,若HF濃度保持固定且緩衝溶液中NH4F能提供大量的之F-,蝕刻速率就可保持穩定。同時為了提高反應的均勻性以及對晶圓的潤濕性,一般在緩衝溶液中還會再加入少量的界面活性劑,來幫助化學品接觸疏水性的矽晶圓表面,同時也可改善蝕刻後晶圓表面的粗糙度。而影響蝕刻率之因素則包括:
SiO2層之型態:結構較鬆散(如:自然生成氧化層),蝕刻速率較快。
反應溫度:溫度升高,蝕刻率加快。
緩衝溶液之混合比例:其中HF比例愈高,蝕刻率愈快.

多晶矽層蝕刻
在目前製程上多使用硝酸(HNO3)、氫氟酸(HF)及醋酸(CH3COOH)三種成份之混合溶液來蝕刻多晶矽,其製程原理包含二道反應步驟:

Si + 4HNO3  SiO2 + 2H2O + 4NO2
SiO2 + 6HF  H2SiF6 + 2H2O

先利用HNO3之強氧化性將多晶矽氧化成為SiO2,再由HF與SiO2反應生成可溶性的矽氟酸,而其中CH3COOH則扮演類似緩衝溶液中H+提供者的角色,使蝕刻率能經常保持穩定。其中硝酸及氫氟酸的比例是影響蝕刻濃度的關鍵。

氮化矽層蝕刻
一般多使用85%的磷酸(H3PO4)在160~170℃之間做氮化矽層的蝕刻,化學反應式如下:

Si3N4 + 4H3PO4 + 10H2O  Si3O2(OH)8 + 4NH4H2PO4

值得一提的是,以熱磷酸對氮化矽及二氧化矽的蝕刻選擇比大於20:1,且於蝕刻率約為60埃/分鐘。

鋁導線蝕刻
鋁常在半導體製程中作為導電層材料,濕式鋁層蝕刻可使用多種無機酸鹼來進行,而已硝酸、磷酸及醋酸之混合溶液其蝕刻速率最為穩定,目前被廣泛運用在半導體製程中.主要之製程原理是利用硝酸氧化鋁金屬層之後,在與磷酸形成磷酸鋁溶於水中:

2Al + 6HNO3  Al2O3 + 3H2O + 6NO2
Al2O3 + 2H3PO4  2AlPO4 + 3H2O

其他金屬蝕刻
隨著半導體製程技術的不斷演進,許多金屬導線及阻障層都將被新的全新的金屬材料所取代。因此,濕式蝕刻的發展也必須跟著不斷地進步。下表六針對一些未來半導體製程可能使用的金屬蝕刻液作一整理。


金屬 蝕刻溶液
TiN, Ti, W NH4OH/H2O2/H2O (1:1:5)
TaNx HF/H2O2 (1:2)
Cu HNO3/CH3COOH/H2O (1:20)
GaAs NH4OH/H2O, H3PO4/H2O2, Organic acids
Mo H3PO4/HNO3/ CH3COOH
Cr Ce(NH4)2(NO3)6/HNO3 or HclO4
Au KI/I2/H2O
ITO HNO3/HCl, HBr, Organic acids
Ni/V HNO3/CH3COOH
表六、金屬與相對蝕刻溶液

晶背蝕刻
當晶圓代工及記憶體製程進入12吋的單片製程(Single Wafer Process)的領域,晶背的污染不容易在蝕刻的同時被清洗乾淨,因此晶背蝕刻(Back-side Etching)就非常重要。由於晶背表層常包含了各類PVD、CVD、電鍍或光阻所殘餘的材料如二氧化矽、多晶矽、有機物、金屬、氮化矽等,因此濕式晶背蝕刻液必須由多種無機酸類組成,包括H3PO4, HNO3, H2SO4及HF等,如此才能有效的去除複雜之晶背表層的結構。

光阻剝離
無論乾式或濕式蝕刻之後,緊接著是必須做光阻剝離(Stripping)的製程,將圖案轉移(Patterning)用的光阻加以去除。在半導體製程中通常使用兩種去除光阻材料之方法,一為濕式去光阻法,另一則為乾式去光阻法。濕式去光阻法,是利用有機溶液將光阻材料溶解而達到去光阻之目的,所使用之有機溶劑如丙酮(Acetone), N-Methyl-Pyrolidinone(NMP), Dimethyl Sulfoxide(DMSO)或是Aminoethoxy ethanol等具有溶解大量光阻的特性;另一方法則可以使用無機溶液如硫酸和雙氧水的混和溶液(SPM),此方法雖然製程成本較低,但因容易造成金屬薄膜的腐蝕,目前僅有部份記憶體製程仍持續使用。乾式去光阻法則是使用氧氣或其電漿將光阻加以灰化(Ashing)。


化學氣相沉積製程用化學品
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD) 是一種經由高溫氣化分解反應後將單種或多種氣相分子沉積於固相基板之半導體薄膜製程,而許多液相之先趨性化學品(Precursor)也廣泛地應用在下列兩種CVD製程中:

1. 介電材料CVD製程用先趨性化學品
最常見之介電材料CVD Precursor包括下列兩種:
(1) SiO2 CVD: TetraEthylOrthoSilicate (TEOS)
(2) BPSG CVD: TriMethylBorate (TMB)及TriMethylPhosphite (TMPI)
TEOS在低壓操作環境加熱至650-750℃集會產生下列分解反應,產生SiO2氣相分子
Si(C2H5O)4+12O2SiO2+8CO2+10H2O

若將TEOS及TMB、TMPI一起進行CVD反應,即會形成摻雜硼和磷成分之硼磷矽玻璃 (Boron Phosphate Silicate Glass, BPSG)介電材料之沉積,上述介電材料因降低了玻璃轉化溫度,因此再經由熱流處理後,可以得到相當好的平坦度及提供較佳之階梯覆蓋(Step Coverage)效果,因此廣泛的使用於半導體的製程中。

2. 金屬CVD製程用先趨性化學品
金屬薄膜製作在早期均是由物理氣相沉積(PVD)或濺鍍法(Sputtering)製作,然其階梯覆蓋能力不佳且無法準確地控制其組成,近年來已逐漸為CVD取代。而目前使用CVD法來製備金屬薄膜如鎢、鋁、鈦及銅之製程分別如下數式:
(1) W CVD:
2WF6(g)+3Si(s) 2W(s)+3SiF4(g)
WF6(g)+3H2(g) W(s)+6HF(g)
WF6(g)+SiH4(g) W(s)+SiF4(g)+2HF(g)+H2(g)
(2) Al CVD:
2Al(C4H9)3 2AlH(C4H9)2+C4H8 (150℃)
2Al+3H2+4C4H8 (250℃)
(3) Ti CVD:
TDMAT+NH3 TiN+…..
TDEAT+NH3 TiN+…
DMAT (Tetrakis Dimethyl Amino Titanium)及TDEAT (Tetrakis Diethyl Amino Titanium)
(4) Cu CVD:
Cu(II)L2+H2Cu(s)+2HL
Cu(II)bis(-diketonate)及Cu(II)bis(-ketoiminate)
L: Single charged ligand (-diketonate…)
使用CVD來製作金屬膜目以Cu及W最吸引人注意,因為銅金屬的導電度及抗電移性比鋁高,因此目前在0.13m以下的製程已經取代鋁成為高性能元件之主要金屬層。而鎢CVD製程因其擁有較佳之覆蓋能力、高純度(含氧量少)及高輸出量而深具發展潛力。


化學機械研磨用濕式化學品
隨著半導體元件線寬縮減至0.25m以下,金屬導電層數超過三層以上,全面性平坦化製程已為不可忽略之關鍵製程。化學機械研磨(Chemical mechanical Polishing, CMP)是由IBM所開發出結合化學反應與機械研磨的製程,目前已經成為平坦化製程的主要技術。它不僅可以達成全面平坦化的目標,同時可增加元件設計的多樣性如新元件設計中的銅導線製程。在化學機械研磨的製程中所使用的化學品主要包括有研磨液(Slurry)及研磨後清洗液。

1. 研磨液
研磨漿溶液一般為含有磨損力之研磨顆粒與弱鹼或弱酸性的化學溶液。因應不同薄膜材料之研磨目的,其主成分可分為兩大類:
(1) 介電層平坦化研磨液:溶有矽土(Silica, SiO2)之KOH或TMAH溶液。
(2) 金屬層平坦化研磨液:溶有礬土(Al2O3)之Fe(NO3)3或H2O2溶液。
CMP製程的反應機制因牽涉到複雜之化學及機械之交互作用,在研磨的過程中,研磨液中所含之漿料(Abrasive)顆粒之粒徑分佈、研磨液之pH值及研磨速率等均對化學機械研磨製程有決定性的影響。

國內半導體業者所使用的化學研磨漿料幾乎全數仰賴美國CABOT、RODEL公司與日本FUJIMI進口。必須大費周章的以海運或空運來台,且化學機械研磨漿料在穩定的溫度控制下,其保存安定性僅有6-8個月;因此從國外進口不僅運費高、對化學品的安定性也會有影響。目前國內已有多家半導體製程化學品廠商投入鋁導線及銅製程研磨液的研發,相信在不久的將來,將可提供台灣半導體製造廠另一個成本低廉且品質穩定的研磨液選擇。

2. 研磨後清洗液

圖七、CMP研磨後清洗液的發展趨勢

由於研磨液是一種高黏度之化學品且含有大量的固體粉末,因此在進行CMP製程後必須立即進行清洗,否則將很容易在矽晶片表面上凝結成固態殘餘物。而一般清洗步驟可使用刷洗 (Brush Cleaning)、噴洗 (Spray Cleaning)及超音波清洗 (Ultrasonic Cleaning)等方式來進行,目前較普遍之清洗方式是使用稀釋之氨水以去除研磨後殘留之粒子污染物及稀釋之氫氟酸去除微量之金屬污染物;但是強酸及強鹼極易傷害銅導線及低介電材料,因此在銅製程中,一般會選用較溫和的有機酸或是有機鹼,輔以添加的介面活性劑及螯合劑,來去除研磨液的微粒子及金屬不純物。


結論
半導體製程用化學品不但與帶動了我國傳統化學工業的升級,在未來銅製程或12吋晶圓中的潔淨製程、微影技術、先進蝕刻及平坦技術的發展上,濕式化學品仍將扮演決定性的角色。化學材料業須不斷研發,才能促進國內半導體產業進入下一世代。雖然目前許多的關鍵性材料如光阻、研磨液及光阻剝離液等,仍大部份仰賴國外進口。未來必須仰賴政府、研究機構、化學品供應商及半導體製造廠之間的鼎力配合,才能真正提昇台灣製程用化學品的研發。


參考文獻
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7. 關東化學,300mm製程用高純度化學品評價

全球IC化學品市場現況及未來趨勢


 
一、國外市場
1.濕製程化學品(wet chemicals)
根據The Information Network預估,2001年全球半導體濕製程化學品之市場規模,從2000年的7.5億美金滑落到6.5億而已,其中蝕刻酸約佔三分之一,晶圓清洗佔三分之二,預計要等到2003年才能再回復到2000年的水準,至於在市場佔有率方面,Ashland仍是北美最大市場供應商,估計其佔全球半導體用濕製程化學品市場近四分之一的比例(如圖一所示),其次為Arch、Mallinckrodt-Baker及General Chemical;歐洲市場主要以Merck為主;日本則是Kanto為首,Wako居次,Sumitomo更次之。另外Honeywell Specialty Chemicals與其Mitsubishi Chemical美國公司合資成立的GEM Microelectronic Materials,去年動作相當積極,不僅擴充產品線,也增加產能,希望能在美國及歐洲搶佔一席之地。

資料來源:The Information Network, 2001/12.
圖一 2000年全球半導體濕製程化學品市場分佈情形
2.CMP slurry(化學機械研磨液)
同樣根據Information Network的預估,2001年全球CMP slurry市場規模約3.46億美金,一般美國的半導體廠在使用oxide與metal化學機械研磨液時用法並不盡相同,前者通常向供應商購買配好的slurry直接使用,但有部份半導體廠為顯示或保護其CMP配方之獨特性,metal化學機械研磨液會向Cabot等主要供應商買silica,或是向Rodel買alumina這些研磨粒,再向其他供應商買其他成份,自行in-house摻配使用,2000年全球CMP市場Cabot仍是最大的供應商,市場佔有率約60%(如圖二所示),居第二位者為Rodel,佔有率大概是18%,由於CMP是近幾年電子化學品領域最耀眼的明星,即使像Ashland、Arch、Air Product等濕製程化學品或高純度氣體廠也想跨足瓜分市場,此外亦有多家廠商躍躍欲試欲切入,而且大多採取策略聯盟方式,例如:Planar Solutions、DuPont/Air Product、ATMI/Vinings、Bayer/Universal Photonics、Arch/Wacker Silicones等,即使Rodel也不能免俗的與Clariant合作。

資料來源:The Information Network, 2001/12.
圖二 2000年全球半導體用CMP市場分佈情形
3.黃光化學品
依據Information Network調查,2001年全球半導體用黃光化學品的市場規模約9.73億美元(如表一所示),其中光阻劑大概將近7億美元左右,日本TOK佔有率最高,達27%(如圖三所示),Shipley、JSR分居二、三名,接下來的Sumitomo、Arch、Clariant實力都在伯仲之間;Stripper主要供應商則有:ACT(Ashland)、EKC、ATMI、Mallinckrodt-Baker、Arch、Shipley(LeaRonal)、Silicon Valley Chemicals等多家,不過,還是以前兩家供應商—ACT及EKC居領先地位。
表一 2001年全球半導體用黃光化學品市場預估
化學品種類 市場規模(百萬美元)
Photoresist 708
Stripper 265
合計 973
資料來源:The Information Network, 2001/12.
工研院經資中心化材組ITIS計畫整理(2002/05).

資料來源:The Information Network, 2001/12.
圖三 2000年全球半導體用光阻劑市場分佈情形
二、台灣市場
1. 濕製程化學品(wet chemicals)
2001年由於台灣IC晶圓生產量衰退,整體半導體濕製程化學品也呈負成長情形,預估市場規模縮減到21.5~27億新台幣之間,2001年底之市場價格(如表二所示),由於2000年整個半導體濕製程化學品之市場價格跌幅達10~20%,2001年全年之跌幅已見減少,僅有硫酸、硝酸、氫氟酸幾項使用量較大的蝕刻酸跌幅在5~8%左右,其餘則價格持平或只有小幅變動。
至於台灣半導體濕製程化學品市場仍主要由伊默克(Merck-Kanto)、太洋新技(Mitsubishi)掌握,美國Ashland與聯成合資成立的聯仕電子材料公司,與日本Mitsubishi Gas的產品也打入台灣市場,李長榮化工電子級IPA也以自有品牌積極爭取半導體廠採用。
表二 2001年底台灣半導體濕製程化學品之市場價格
化學品種類 價格(NTD/kg)
H2SO4 38
H2O2 58~68
HNO3 100~110
HCl 80
H3PO4 80~90
NH4OH 49~58
HF 110~120
IPA 58
BOE 130~140
資料來源:工研院經資中心化材組ITIS計畫整理(2002/05).
2. CMP slurry(化學機械研磨液)
雖然去年台灣晶圓產量減少,但因CMP slurry使用比例增加,所以2001年半導體CMP slurry市場規模仍維持在13~20億新台幣之間,其市場價格也沒有太大波動(如表三所示),由於日本部份半導體廠有採用CeO2 CMP的趨勢,台灣有部份日系也在開始試用,後續趨勢值得注意,至於供應商還是呈現獨大的情形,估計Cabot一家的市場佔有率約為80%,其餘則由Rodel、JSR、Hitachi、Showa Denko、Fujumi、EKC等家瓜分,另外,台灣廠商長興化工的CMP產品也獲得半導體大廠的使用。
表三 2000年底台灣半導體製程用CMP之市場價格
種類 價格
Oxide-一般 5~8 USD/liter
Oxide-CeO2 32~36 USD/liter
Metal-W 10~12 USD/liter
Metal-Cu 15~30 USD/liter
資料來源:工研院經資中心化材組ITIS計畫整理(2002/05).
3. 黃光化學品
由於黃光化學品使用量與晶圓產量有直接等比關係,預估2001年國內黃光化學品在晶圓產量大幅減少影響下,市場規模也降到32~36億新台幣左右,市場價格(如表四所示),大體而言,除stripper以外,2001年台灣整體黃光化學品之市場價格跌幅在3~5%左右。IC光阻劑市場主要仍由國際大廠掌握,如:TOK、Shipley、Sumitomo、JSR、Shin-Etsu、Fuji-Olin等;至於stripper則仍是Ashland (ACT)、EKC兩家獨佔的局面,ATMI、MGC(Mistubishi Gas)只佔有少量市場;TOK、Fuji-Olin、Tokuyama則是IC顯影劑主要供應廠家。
表四 2000年底台灣半導體用黃光化學品之市場價格
化學品種類 價格
HMDS 3,100~3,300 NTD/gal
Photoresist i-line:290~480 USD/gal
DUV:1,400~1,900 USD/gal
193 nm:6,900~7,200 USD/gal
ARC Bottom ARC
DUV:1,900~2,400 USD/gal
193 nm:3,300 USD/gal
Top ARC
DUV:330~380 USD/gal
193 nm:950~1,150 USD/gal
EBR 95 NTD/liter
Developer 58 NTD/liter
Stripper 55~60 USD/gal
資料來源:工研院經資中心化材組ITIS計畫整理(2002/05).
三、產品發展趨勢
1.濕製程化學品
(1)添加界面活性劑:以提高performance、良率。
(2)添加螯合劑:以適用於Cu製程。
(3)有機鹼取代一般鹼液:由於表面平坦度要求趨於嚴格,以TMAH等效果較溫和的有機鹼,取代傳統所使用的NH4OH。
(4)IPA減用與以O3/H2O取代濕製程化學品之呼聲趨緩。
2.CMP slurry
(1)下世代Oxide化學機械研磨液CeO2之使用-由於可以direct polish,減少一道光罩,目前已有日本半導體廠,或是台灣自日本移轉技術者開始採用,未來有可能成為趨勢。
(2)由於IC產業日趨競爭,台灣主要晶圓廠為保有製程及產品之獨特性,以維持競爭優勢,有可能也採取國外晶圓廠CMP slurry自行in-house調配方式,這樣的使用方式對CMP生產廠商之影響有待密切注意。
3.黃光化學品
(1)F2 157nm光阻劑國內預計2002年開始試用。
(2)stripper:
Cu製程:主要必須防腐蝕,因此以改變amine官能基、添加腐蝕抑制劑因應。
Low-k:避免產生化學反應或衝擊為主要開發方向。
四、產業發展趨勢
1. 隨著未來半導體新廠集中在亞太地區,全球各主要電子化學品廠也都將未來成長重心放在此區域。
2. 有鑑於前兩年半導體景氣大幅衰退,加上各主要電子化學品廠也在前兩年大幅擴充產能,導致嚴重供過於求,利潤嚴重縮水,預測2002年各廠會以去瓶頸方式增加產能,致於大手筆建新廠短期內不易見到。
3. 2002年上半年因原料價格上漲,復以各主要電子化學品廠也需要有合理利潤,以持續進行研發並提供更完整服務,2002年初以來已有多家廠商宣佈價格調高,例如:Ashland宣佈其stripper等產品要調漲5~15%,General Chemical要調漲其wet chemicals價格約5%,台灣或許不易見到此種景況,但咸信2002年化學品價格跌幅會趨於緩和。
4. 由於半導體化學品成長幅度趨向平穩,加上此產業行銷通路維護成本甚高,國際大廠皆欲充份運用其既有之行銷通路與品牌優勢,積極擴充產品線或轉進其他領域,最明顯例子為Air Product,其原為高純度氣體全球最大供應商,目前已經與DuPont合作,企圖進入CMP slurry市場,今年初也有消息指出其欲購併Clariant,以期跨足光阻劑,濕製程化學品方面,Air Product則是投資Honeywell-Mitsubishi JV的GEM Microelectronic,此外,Ashland也在Ohio成立技術中心,進行CMP slurry的研發,另一家美國濕製程化學品大廠-Arch,則是宣佈自濕製程化學品領域撤出,改著力於CMP slurry、stripper、EBR等產品,大廠挾其優勢不斷擴張版圖,產品線區隔模糊化,是否使得大者再行更大?小廠更不易生存,可以靜觀未來這1~2年的變化。
5. 誠如前述,近兩年半導體化學品因產能過剩與下游產業不景氣利潤嚴重縮水,加上未來成長重心轉移至亞太地區,因此歐美大廠開始進行供應鏈最適化,希望藉此不僅能進一步降低成本、縮短供應時間,也提昇自身的競爭力

Special Gas用量管制辦法:

如用量異常可由T.G.S即時通告值班人員,其設定標準為每週、月統計平均用量
,於T.G.S中設定平均用量1.5倍為H Alarm、2倍為H.H Alarm(實際Base Line依產
能增減隨時Review) ,可即時通報相關設備工程師追查異常原因 。

T.G.S內建鋼瓶有效日期Data,由值班人員將鋼瓶更換日期Key-In T.G.S,再由
T.G.S進行將過期鋼瓶Alarm(由每班值班人員執行鋼瓶更換日期Key-In)。

對有Back-Up設計的GC/GM發現鋼瓶即將過期時優先將壓力調高先使用該鋼瓶
供應。

於用量稀少氣櫃張貼表格管制鋼瓶有效日期,由值班人員將要過期鋼瓶移至常
用氣櫃 or 其它Site使用。

依實際使用量考量用量稀少有Back-Up GC/GM單邊供氣或延遲至下月更換鋼瓶
,以縮小每月鋼瓶用量之差距。
C. Chemical避免過期管理方式:

1. 目前只有採用Lorry灌充之H2O2/H2SO4/NH4OH 三種Chemical作為Back-up
使用Chemical Drum可能過期,故於現場張貼系統正面,張貼即將有效日期,將安
排過期前由系統負責人,進行切換Charge Drum, 並更換新Drum上線.

2. 其他化學品因用量較大故無過期風險,唯需要求物管進貨時需確認有效期限
至少皆大於半年.

3. 未來要求物管Bar code條碼需含過期日,FE因更換刷條碼後,可評估由監控軟體
增設化學品使用期限之電腦管理機制,使Chemical過期風險降至零,並消弭因過
期造成Cost異常之事件.
1. 硬體
增加一片網路卡與氣體監控系統連接,
將GC/GM供氣狀態送到Barcode電腦。
2. 軟體
增加判斷左或右側是否在 PROCESS,
STANDBY。若在PROCESS,STANDBY
則不允許更換。
A.用量異常管理方式:

1. 現場張貼每台系統,每日最大更換酸桶,使換酸同仁,即早發現用量異常.
2. POU端Supply Time管理,建立合理供酸時間,Supply Time Over即為供酸異常.
3. Chemical用量週、月報進行用量W/O,M/O分析管理
4. 未來將評估增設Chemical consumption日及時用量警報功能.

B.通報及追蹤機制

1. 當換酸人員發現即將更換之Chemical桶數可能超過每日最大桶數時,立即查看
紀錄找到用量酸時間較大機台, 藉由“供酸時間紀錄”,立即得知異常要酸機台,
通知所屬User,避免異常用量擴大.
2. 依據各機台Max.用酸秒數,定訂Chemical supply time over合理時間,供
Module參考 ;若發生超過設定值,系統自動interlock,供應通知所屬MOD值班人
員查詢真因,待異常消除再解除interlock. (若卻認為機台異常,將立即以mail通
知所屬MOD三級及FOC二,三級主管異常用量及機台名稱)
3. 目前定每季Review設定時間是否合理,以不影響生產之最小化設定.(11月8C平
每月發生機率2次/CRD 小於1次;為機台HTC/VTC正常補酸)
4. 8C目前與T.G.S已連線/CRD年修可連線,將評估增設用量Warning
Alarm/Critical alarm功能,將較能即時反應用量異常狀況.

BCDS Sampling SOP

可取樣的位置如下:
Storage tank、CB、CCB、Tank、Tank A、Tank B、out of filter,但需要看設備實際配置後,再選擇所要取樣的位置點。
以取樣為例:
1. 準備無塵布、吸液棉並穿戴手套、防護衣、防酸靴、護目鏡、防毒面具並配合所需要的濾毒罐等器具。
2. 確認所要取樣的位置的取樣箱位置,先行確認exhaust、DI gun為正常運作,並確確認房間內sump pump於Auto位置、機台後方drain valve開啟後鬆開門板旋鈕兩顆後慢慢打開門蓋。
3. 將取樣箱中所有的取樣閥以順時鍾方向將其一一關閉及確認完畢。
4. 於取樣箱附近有一排標示區樣位置的按鈕,選擇out of filter將其按下。
5. 於取樣箱內找到標有Filter的取樣閥,慢慢將閥打開後見緩緩從管內留出,讓其drain掉至少10分鐘。
6. 關閉該取樣閥,打開瓶蓋將樣品罐中的H2O或chemical倒入取樣箱的底部,一手將樣品罐置入取樣箱中,一手操作標有filter取樣閥以逆時鐘方向慢慢將閥打開讓chemical流入樣品罐中,此時準備做關閥的動作。
7. 當樣品罐chemical流入7~8分滿時開始以順時鍾方向將該取樣閥關閉,並防止chemical溢出樣品罐外。
8. 重複步驟6~7至少3次後,再進行步驟7將樣品取好後,將瓶蓋旋緊,將取樣閥確認關閉後,將out of filter鍵給OFF掉。
9. 用DI水沖洗sampling box至少10分鐘,期間確認無積水或任何洩漏現象。

調整靜電容sensor靈敏度說明

內 容:

溶劑用型號: KI-5030 ; 酸鹼用型號: KB-5001
1. 目的
改善靜電容sensor之靈敏度,以降低其誤動作造成系統異常。
2. 準備工具
一字螺絲起子(特小型;黑柄)一支
3. 狀況判斷
一. 液位管內如果沒有chemical,但sensor有偵測到(LED燈亮),及即判定sensor太過
靈敏。
二. 液位管內如果有chemical,但sensor LED燈未亮,及即判定sensor靈敏度不足。
4. 調整說明
一.確認sensor的液位管無chemical。
二.將手指放在液位管後方。
三. 1.如果此時sensor LED亮,用小螺絲起子對準POTI(如圖示),逆時針旋轉直至燈滅即停;此時順時針旋轉待燈亮後,再順時針轉一百八十度即可。
2. 如果此時sensor LED不亮,順時針旋轉直至燈亮後,在順時針轉個一百八十度即可。 (P.S 注意以上作業手不可移開液位管)

特殊氣體管路作業程序規範



1. 目的:建立標準作業程序,藉以確保作業品質,以防止並降低拆管作業風險
2. 適用時機:既有管路修改與拆管
3. 拆裝小組成員:Contract Owner (施工承攬商負責人) & 廠務系統負責人
4. 作業程序
1.1施工前檢查
1.1.1閥件與管件之標示:包括所有相對應要拆除之管路及元件。
1.1.2 各項管路拆除工作除務必穿戴工安規定之適當防護器具。
1.1.3關手動閥:關閉將拆管之管路手動閥。
1.1.4抽真空:管路抽真空直至壓力不再下降後並保持8小時以上。
1.1.5測漏:由PT Trend chart 檢查管路壓力是否異常。
1.1.6 Cycle-purge:測漏完成後由GasCabinet端的Purge gas作整條管路purge及勻壓Cycle Purging之動作。
1.1.7確認施工人員為拆管小組成員,不可臨時更換
1.1.8施工工具準備:拆卸工具,管路VCR cap,safety locker (紅色塑膠環)

1.2施工細節討論
1.2.1 Gas piping 施工原則,由VMB/P出口往氣瓶櫃方向拆,只可由一組人力進行拆除工作,不可分兩組人力,由不同地方進行拆除工作。
1.2.2各種氣體特性簡述並介紹。
1.2.3確認各項偵測儀器已隔離完成(火警隔離、Gas detection system隔離)。

1.3施工中
1.3.1施工人員各項個人防護具,察查及提醒穿戴。
1.3.2按既定施工之必要程序執行查檢。

1.4施工後
1.4.1施工後的廢棄物有效處理。
1.4.2施工現場界面,如:Cap、cover & 相關支架的復原。
1.4.3施工後現場複查。


管路拆除檢查表
編號 檢 查 項 目 結果 執行者
1 檢查作業許可證是否置於施工現場? (負責工程師)
2 檢查施工區域是否已作適當安全隔離或警示?
3 檢查施工廠商是否依規定穿著適當安全防護具?
4 如可能影響其他機台生產,是否已通知有關單位停機?
5 確認特氣種類、並充分了解其Purge方式
6 確認管路已完成purge及通過測漏?
7 是否隔離氣體偵測器之警報功能?
8 管路拆除後是否依規定立即cap住? (承包廠商)
9 管路拆除後是否加上off標示牌,safety locker及更新標示?
10 拆下之管路是否依規定處理?
11 施工後是否將施工現場清理乾淨?
12 確認無安全顧慮後復原該氣體偵測器? (負責工程師)
13 管路拆除後3分鐘請再確認無洩漏狀況?

2008年4月28日

小人也許是貴人


分類:職場菜鳥二三事2006/08/10 16:50■ 邱文仁
職場充滿形形色色的人,有的人和你磁場相合,是你命中貴人,總是願意給你許多機會;有的人和你八字不合,是你命中小人,即使你沒招惹他,他也會給你帶來大大小小的麻煩。



年紀輕時,因為個性單純,我較易受到職場小人的影響,對於流言和傷害沒有抵抗力,情緒往往受到很多困擾。更糟的是,著了別人的道,被人玩弄於股掌之間還不自知。



不過,上班久了,我開始體會這是必然的現象,一切麻煩,必須靠自己的經驗和智慧來解決。朋友講了一個道理,讓我看得更開、想得更清楚。



日本北海道出產一種味道珍奇的鰻魚,生命力非常脆弱,只要一離開海洋,很快就會死亡。奇怪的是有一位老漁民天天出海捕撈鰻魚,返回岸邊後,他的鰻魚還是活蹦亂跳的,且肉質無比鮮美。其他幾家捕撈鰻魚的漁戶,無論如何處置捕撈到的鰻魚,回港後全都死了。由於鮮活的鰻魚價格相當高,沒幾年功夫,老漁民一家便成了富翁。



老漁民臨終時,把秘訣傳授給兒子。原來,他在整艙的鰻魚中,放進幾條叫狗魚的雜魚。鰻魚與狗魚非但不是同類,而且還是天生的「對頭」。當鰻魚碰到狗魚,就會處於警覺的狀態,因此保持了旺盛的生命力。也因為鰻魚一路上不斷警覺地動作,而使肉質更為緊實,因此成為高檔貨色。



由於資源有限,職場競爭是不可避免的。但是,競爭的壓力,會促使你更加聰明、更加努力。



如果四周沒有人拿你當標的,沒有人是你的敵人,你一定很容易流於自滿、任性、偷懶、不思改進。



所以,雖然我們不必對身邊的敵人心存感激,但如果不是因為他們的存在,我們可能不會更好、更有價值。



以我自己來說,我的個性本質上有些「任性」的因子存在,有時會有一些不是很恰當的判斷或舉動。工作上,曾有幾次因為別人激我,就險些放棄已經擁有的資源或舞台:「誰稀罕?大不了從頭來過!」



但為了不讓敵人取笑或有機可趁,我勉強按捺住自己,咬著牙繼續做下去。而當時的犧牲及忍耐,換來日後的工作表現,帶來更大的舞台。如今,得到許多認同的我,每每回想到當時的關鍵時刻,不禁捏了一把冷汗,「還好!當時因為不願意讓敵人得逞,提醒自己不可任性而為!」



從這種角度去看「小人」,「小人」也許就是生命中用來提醒你的「貴人」,不是嗎?







(作者是104人力銀行 行銷總監)

【2006/08/10 經濟日報】

富翁獨特的智慧語錄


(文章分享)from基智網 分類:各類投資理財文章2006/07/03 11:44富翁的8種金錢觀念:
1. 金錢問題只有2種。一種是錢太少、一種是錢太多,你想要遇到那一種呢?
2. 當一個人說「我負擔不起」時。這個人只看到了硬幣的一面,當你說「我要如何才能付得起」時,你就已經開始看到硬幣的另外一面了。
3. 債務也有好壞之分,優良債務使你致富,不良債務使你貧窮。
4. 富爸爸懂的用財務槓桿,窮爸爸卻認為那充滿風險。
5. 第一個100萬最難賺。賺100萬沒那麼難,難的是如何讓他為你創造更多的財富
6. 「財富」不是指你有多少錢。而是指你能否以你想要的方式遇著理想中的生活。
7. 富人與窮人的區別在於,後者說「我買不起」的頻率遠遠高於前者。
8. 永遠無法致富的其中的一個原因是:對金錢不感興趣。



富翁的7種理財思維:
1. 今天投資才有意義,不要等到明天。
2. 你的人脈就是財富的所在,人脈可以打通財路。
3. 超過8成的創業者在創業的一年內失敗,因為投資過於迅速,也無法控制花費。
4. 控制開銷,永遠留一部份的錢以供投資理財,這樣才能用現有的錢去創造財富。
5. 富翁喜歡靠明智的花錢,把錢省下來,更會把賺到的錢至少儲蓄10%。
6. 你的支出就是別人的收入,無法控制自己現金流向的人,使那些能控制自己現金流向的人愈來愈富有。
7. 偶二爾買張樂透彩是OK的,但若將未來完全押在樂透上,那就是愚蠢的打算。



富翁的7種賺錢心態
1. 億萬富翁的賺錢秘密之一,便是只從事能賺錢的活動。
2. 如果你一輩子幫人做事,就無法致富;創業有方,才是最快的致富方法。
3. 你在一開始創業時,就該想到,如何在未來脫手轉讓時,獲得最大的益利。
4. 一個資深投資者在進行投資前,一定會先制定退出戰略。也就是說,在資前,你必須先知道如何、何時、何地、賺(賠)多少錢的時候退出。
5. 創造持續的收入有兩種方法,一種是賺更多的錢;另一種是讓某一部份的錢幫你賺更多的錢。富翁總是選擇後者。
6. 借力使力等於速度。想要成為億萬富翁,你必需懂得借力使力的原則,借用愈多力量,賺錢愈輕鬆、愈快。
7. 「有錢人昨天就把事情做好了。」保持行動迅速與效率是邁向成功的重要因素。.


富翁的7種致富秘訣
1.成功都與不成功者的差異不在於智商,而在於他們對自己與世界的看法
2.很多人都知道致富的原則,但富翁多了一項特質----身體力行。
3.所有功成名就的人都有二項特質,知道自己要什麼+強烈的成功慾望。
4.有錢人刻意安排的生活方式,本來就是為了只和有錢人打交道。
5.致富或是貧窮的命運,不是由你的出身而定,而是由你的行動力而定。
6.擁有財富的人不會找藉口,只會找解決的力法,並對自己承諾要成功。
7.如果你尚未擁有財富,那表示你對擁有財富還沒有足夠的慾望。



富翁的7種工作態度
1.擁有一份固定工作的最大問題是;他妨礙了自己致富。
2.為別人工作不能累積財富;為自己工作才能致富。這代表你必須要創業,或是把時間花在尋找良好的投資上。
3.造就財富累積的重點不在收入,而在「資產成長」。
4.成功的人和不成功的人最大的不同在於,成功的人認為沒有所謂的失敗,那只是經驗的學習罷了。
5.如果向自我懷疑和懶惰宣戰,你就可以很快找到自己的財富自由之路。
6.當你認為自己已經盡了全力時,請記住一件事---你並沒有真的完全盡力!
7.拼命工作,就是在此一過程中慢性自殺,並犧牲家庭生活與個人健康。
 
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